| 中文摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-23页 |
| 1.1 半导体光电材料Sn-S化合物的研究意义及发展现状 | 第11-19页 |
| 1.1.1 半导体材料 | 第11-13页 |
| 1.1.2 光电材料 | 第13-15页 |
| 1.1.3 Sn-S化合物 | 第15-19页 |
| 1.2 计算机模拟方法的研究意义及发展现状 | 第19-20页 |
| 1.3 本论文的选题目的及意义 | 第20-23页 |
| 第2章 理论基础和研究方法 | 第23-33页 |
| 2.1 第一性原理 | 第23页 |
| 2.2 薛定谔方程 | 第23-24页 |
| 2.3 近似理论 | 第24-26页 |
| 2.3.1 绝热近似(Born-Oppenheimer近似) | 第24-25页 |
| 2.3.2 单电子近似 | 第25页 |
| 2.3.3 Hartree-Fock近似 | 第25-26页 |
| 2.4 密度泛函理论 | 第26-28页 |
| 2.4.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第26页 |
| 2.4.2 Kohn-Sham方程 | 第26-27页 |
| 2.4.3 交换关联函数 | 第27-28页 |
| 2.5 赝势方法 | 第28页 |
| 2.6 范德华泛函 | 第28页 |
| 2.7 半导体光电材料性质 | 第28-31页 |
| 2.7.1 吸收系数 | 第28-30页 |
| 2.7.2 载流子有效质量 | 第30-31页 |
| 2.7.3 输运性质 | 第31页 |
| 2.8 计算软件 | 第31-33页 |
| 第3章 硫化亚锡(SnS)新亚稳相的结构搜索和性能分析 | 第33-45页 |
| 3.1 背景介绍 | 第33-34页 |
| 3.2 计算细节 | 第34-36页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第36-43页 |
| 3.4 本章小结 | 第43-45页 |
| 第4章 变化学组分的锡硫化物(Sn_xS_y)新相的计算设计 | 第45-59页 |
| 4.1 背景介绍 | 第45-46页 |
| 4.2 计算细节 | 第46-48页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第48-57页 |
| 4.3.1 变化学组分结构搜索得到的Sn-S化合物的形成焓 | 第48-49页 |
| 4.3.2 两种新型Sn_3S_4化合物的晶格常数和光电性质 | 第49-51页 |
| 4.3.3 通过模仿Sn_3S_4链状结构得到的Sn-S同系物 | 第51-53页 |
| 4.3.4 结构搜索发现的范德华超结构 | 第53-56页 |
| 4.3.5 所有预测相的化学计量比、带隙和形成能的关系研究 | 第56-57页 |
| 4.4 本章小结 | 第57-59页 |
| 第5章 总结与展望 | 第59-61页 |
| 5.1 总结 | 第59-60页 |
| 5.2 展望 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-71页 |
| 附录 | 第71-77页 |
| 攻读硕士期间所获得的成果 | 第77-79页 |
| 致谢 | 第79页 |
