| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第12-27页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第12-21页 |
| 1.1.1 太阳电池概述 | 第12-14页 |
| 1.1.2 薄膜太阳电池 | 第14-16页 |
| 1.1.3 薄膜太阳电池的制备方法 | 第16-18页 |
| 1.1.4 薄膜太阳电池的结构 | 第18-19页 |
| 1.1.5 Sb_2Se_3和Sb_2S_3的材料特性 | 第19-21页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第21-26页 |
| 1.2.1 Sb_2Se_3太阳电池研究现状 | 第21-24页 |
| 1.2.2 Sb_2S_3太阳电池研究现状 | 第24-26页 |
| 1.3 本文主要研究内容 | 第26-27页 |
| 第2章 材料和器件的制备与表征 | 第27-52页 |
| 2.1 太阳电池工作原理—光生伏特效应 | 第27-28页 |
| 2.2 本论文采用的薄膜制备方法和原理 | 第28-35页 |
| 2.2.1 真空热蒸发镀膜法(Thermal Evaporation) | 第28-30页 |
| 2.2.2 磁控溅射法(Magnetron Sputtering) | 第30-32页 |
| 2.2.3 化学水浴法(Chemical Bath Deposition) | 第32-35页 |
| 2.3 材料和器件的测试与表征 | 第35-52页 |
| 2.3.1 台阶仪 | 第35-36页 |
| 2.3.2 X射线衍射(XRD) | 第36-38页 |
| 2.3.3 拉曼散射光谱(Raman) | 第38-40页 |
| 2.3.4 紫外-可见-近红外光谱 | 第40-41页 |
| 2.3.5 扫描电子显微镜(SEM) | 第41-43页 |
| 2.3.6 能谱仪(EDS) | 第43-45页 |
| 2.3.7 光电流响应 | 第45-46页 |
| 2.3.8 I-V测试 | 第46-48页 |
| 2.3.9 外量子效率测试(EQE) | 第48-50页 |
| 2.3.10 C-V测试 | 第50-52页 |
| 第3章 热蒸发法制备底衬结构的CdS/Sb_2Se_3异质结太阳电池 | 第52-63页 |
| 3.1 不同衬底温度CdS/Sb_2Se_3太阳电池的制备 | 第52-54页 |
| 3.2 薄膜材料和器件表征 | 第54-58页 |
| 3.2.1 衬底温度对Sb_2Se_3材料特性的影响 | 第54-56页 |
| 3.2.2 衬底温度对CdS/Sb_2Se_3器件性能的影响 | 第56-58页 |
| 3.3 Mo衬底的Se化处理 | 第58-62页 |
| 3.3.1 MoSe_2对Sb_2Se_3材料特性的影响 | 第58-60页 |
| 3.3.2 MoSe_2对CdS/Sb_2Se_3器件性能的影响 | 第60-62页 |
| 3.4 本章小结 | 第62-63页 |
| 第4章 热蒸发法制备顶衬结构的CdS/Sb_2S_3异质结太阳电池 | 第63-76页 |
| 4.1 不同衬底温度CdS/Sb_2S_3太阳电池的制备 | 第63-65页 |
| 4.2 衬底温度对Sb_2S_3材料特性的影响 | 第65-72页 |
| 4.3 衬底温度对CdS/Sb_2S_3器件性能的影响 | 第72-75页 |
| 4.4 本章小结 | 第75-76页 |
| 第5章 磁控溅射法制备顶衬结构的CdS/Sb_2Se_3异质结太阳电池 | 第76-84页 |
| 5.1 不同压强CdS/Sb_2Se_3太阳电池的制备 | 第76-77页 |
| 5.2 压强对Sb_2Se_3材料特性的影响 | 第77-79页 |
| 5.3 压强对CdS/Sb_2Se_3器件性能的影响 | 第79-82页 |
| 5.4 本章小结 | 第82-84页 |
| 第6章 总结 | 第84-88页 |
| 参考文献 | 第88-97页 |
| 致谢 | 第97-99页 |
| 攻读学位期间取得的科研成果 | 第99页 |
