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基于40nm的SAR ADC技术研究

摘要第5-6页
ABSTRACT第6-7页
第一章 绪论第11-16页
    1.1 研究背景及意义第11-12页
    1.2 国内外研究及产品现状第12-15页
        1.2.1 国内外研究现状第12-14页
        1.2.2 国内外产品现状第14-15页
    1.3 本文的主要工作及论文结构第15-16页
第二章 ADC的基本理论以及SAR ADC的工作原理第16-28页
    2.1 ADC简介第16-17页
    2.2 ADC的主要性能指标第17-21页
        2.2.1 静态特性指标第17-19页
        2.2.2 动态特性指标第19-21页
    2.3 主要ADC结构第21-27页
        2.3.1 并行比较ADC第21-22页
        2.3.2 调制型ADC第22-23页
        2.3.3 流水线型ADC第23-24页
        2.3.4 逐次逼近(SAR)ADC第24-27页
    2.4 本章小结第27-28页
第三章 全差分tri-level DAC的设计第28-40页
    3.1 电容失配分析第28-29页
    3.2 分段电容结构分析第29-31页
    3.3 全差分结构分析第31页
    3.4 tri-level DAC分析第31-33页
    3.5 DAC的MATLB建模第33-38页
    3.6 寄生电容分析第38-39页
    3.7 本章小结第39-40页
第四章 关键单元电路的设计第40-52页
    4.1 栅压自举开关的设计第40-43页
        4.1.1 电荷注入效应第40-41页
        4.1.2 时钟馈通效应第41-42页
        4.1.3 栅压自举开关的设计与仿真第42-43页
    4.2 动态比较器的设计第43-49页
        4.2.1 比较器参数设置第43-44页
        4.2.2 动态比较器结构分析第44-46页
        4.2.3 动态比较器噪声分析第46-49页
    4.3 时序和逻辑电路设计第49-51页
        4.3.1 时序电路设计第49-50页
        4.3.2 控制逻辑电路设计第50-51页
    4.4 本章小结第51-52页
第五章 电路版图设计与仿真结果第52-67页
    5.1 电路版图设计第52-62页
        5.1.1 纳米级制造工艺的主要效应第52-55页
            5.1.1.1 STI效应第52-53页
            5.1.1.2 WEP效应第53-54页
            5.1.1.3 电路设计中解决STI WEP效应的方法第54-55页
            5.1.1.4 版图设计中解决STI WEP效应的方法第55页
        5.1.2 系统布局第55-56页
        5.1.3 电容版图设计第56-58页
            5.1.3.1 MOS电容第56-57页
            5.1.3.2 金属电容第57页
            5.1.3.3 DAC单位电容的设计第57-58页
        5.1.4 12位1MS/s SAR ADC的版图实现第58-62页
            5.1.4.1 栅压自举开关的版图实现第58-59页
            5.1.4.2 DAC电容阵列的版图实现第59-60页
            5.1.4.3 核心电路的版图实现第60-61页
            5.1.4.4 整体ADC的版图实现第61-62页
    5.2 仿真结果及分析第62-66页
        5.2.1 栅压自举开关的仿真结果及分析第62-63页
        5.2.2 动态比较器的仿真结果及分析第63页
        5.2.3 时序电路的仿真结果及分析第63-64页
        5.2.4 对整体电路的仿真结果及分析第64-66页
    5.3 本章小结第66-67页
第六章 结论第67-69页
    6.1 本文的主要工作和贡献第67-68页
    6.2 后续工作展望第68-69页
致谢第69-70页
参考文献第70-73页
攻读硕士学位期间取得的成果第73-74页

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