磁纳米有序结构中的表面等离激元与磁光效应
| 摘要 | 第4-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 目录 | 第10-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-49页 |
| 1.1 磁光效应 | 第13-23页 |
| 1.1.1 简史 | 第13-14页 |
| 1.1.2 磁光效应的基本概念 | 第14-18页 |
| 1.1.3 磁光效应的理论解释 | 第18-23页 |
| 1.2 磁等离激元 | 第23-41页 |
| 1.2.1 表面等离激元 | 第23-25页 |
| 1.2.2 磁光效应与表面等离激元 | 第25-41页 |
| 1.3 本论文的选题意义和组织安排 | 第41-42页 |
| 参考文献 | 第42-49页 |
| 第二章 实验方法与理论计算工具 | 第49-63页 |
| 2.1 引言 | 第49页 |
| 2.2 实验方法 | 第49-56页 |
| 2.2.1 干涉光刻 | 第49-52页 |
| 2.2.2 反应等离子刻蚀 | 第52-53页 |
| 2.2.3 磁控溅射 | 第53-56页 |
| 2.3 理论计算与模拟方法 | 第56-61页 |
| 2.3.1 SPP波矢计算 | 第56-59页 |
| 2.3.2 COMSOL 模拟 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-63页 |
| 第三章 磁光Kerr效应测量系统 | 第63-86页 |
| 3.1 引言 | 第63-64页 |
| 3.2 硬件系统 | 第64-65页 |
| 3.3 计算原理 | 第65-76页 |
| 3.3.1 入射光为s光,检偏器位于反射光路 | 第65-68页 |
| 3.3.2 入射光是p光,检偏器位于反射光路 | 第68-71页 |
| 3.3.3 射光为s光,检偏器位于透射光路 | 第71-74页 |
| 3.3.4 入射光为p光,检偏器位于透射光路 | 第74-76页 |
| 3.3.5 旋转角修正与椭偏率计算 | 第76页 |
| 3.4 MOKESOFT 软件 | 第76-83页 |
| 3.4.1 基本参数 | 第76页 |
| 3.4.2 数据文件 | 第76-77页 |
| 3.4.3 程序界面 | 第77-83页 |
| 3.5 测试结果 | 第83-84页 |
| 3.6 结论 | 第84页 |
| 参考文献 | 第84-86页 |
| 第四章 钴反点阵列中的光学、磁光与磁学性质 | 第86-100页 |
| 4.1 引言 | 第86-87页 |
| 4.2 制备方法 | 第87-89页 |
| 4.3 理论计算 | 第89-91页 |
| 4.3.1 SPP波矢计算 | 第89-90页 |
| 4.3.2 COMSOL 模拟 | 第90-91页 |
| 4.4 实验结果 | 第91-97页 |
| 4.4.1 光学性质 | 第91-92页 |
| 4.4.2 磁光性质 | 第92-95页 |
| 4.4.3 磁学性质 | 第95-97页 |
| 4.5 结论 | 第97页 |
| 参考文献 | 第97-100页 |
| 第五章 钴双层阵列中的光学与磁光性质 | 第100-118页 |
| 5.1 引言 | 第100-101页 |
| 5.2 样品制备 | 第101-104页 |
| 5.3 模拟计算 | 第104-105页 |
| 5.4 实验结果 | 第105-115页 |
| 5.4.1 光学性质 | 第105-110页 |
| 5.4.2 磁光性质 | 第110-115页 |
| 5.5 结论 | 第115页 |
| 参考文献 | 第115-118页 |
| 第六章 总结 | 第118-121页 |
| 6.1 主要结论 | 第118-120页 |
| 6.2 主要创新点 | 第120页 |
| 6.3 展望 | 第120-121页 |
| 已发表的论文 | 第121-122页 |
| 致谢 | 第122-123页 |
