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多棒极型触发真空开关的关键问题及应用研究

摘要第4-6页
Abstract第6-7页
1 绪论第10-22页
    1.1 研究背景及意义第10-12页
    1.2 触发真空开关的研究现状第12-20页
    1.3 触发真空开关存在的问题第20-21页
    1.4 本文的研究内容第21-22页
2 MTVS中真空电弧运动机理的研究第22-45页
    2.1 磁场对真空电弧的作用机理第22-24页
    2.2 磁场分布的仿真分析第24-34页
    2.3 电弧通道及棒状电极的电磁力仿真分析第34-43页
    2.4 本章小结第43-45页
3 MTVS中电弧形态及发展过程的实验研究第45-67页
    3.1 基于CMOS高速摄像机的真空电弧观测系统第45-48页
    3.2 真空电弧发展和演化过程第48-63页
    3.3 MTVS中真空电弧运动速度的计算和分析第63-66页
    3.4 本章小结第66-67页
4 MTVS静电场仿真及电极结构的优化设计第67-86页
    4.1 真空间隙击穿机理及影响因素第67-69页
    4.2 静电场仿真及影响因素分析第69-81页
    4.3 35kV等级MTVS的设计和分析第81-85页
    4.4 本章小结第85-86页
5 MTVS触发特性实验研究第86-104页
    5.1 触发极结构及触发方式第86-88页
    5.2 极性效应研究第88-93页
    5.3 交流模式下的触发特性第93-103页
    5.4 本章小结第103-104页
6 MTVS寿命特性实验研究第104-129页
    6.1 亚毫秒脉冲作用下的通流寿命特性第104-111页
    6.2 毫秒脉冲作用下的通流寿命特性第111-122页
    6.3 电极的烧蚀情况分析第122-127页
    6.4 本章小结第127-129页
7 全文总结第129-131页
致谢第131-132页
参考文献第132-142页
附录1 攻读博士学位期间发表的学术论文第142-143页
附录2 攻读博士学位期间参加相关的课题第143页

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