| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 课题研究背景及意义 | 第9-10页 |
| 1.2 研究现状 | 第10-17页 |
| 1.2.1 GZO 薄膜制备研究进展 | 第10-14页 |
| 1.2.2 GZO 薄膜的应用研究现状 | 第14-17页 |
| 1.3 本文主要研究内容 | 第17-19页 |
| 第2章 GZO 薄膜及纳米晶体的制备及表征方法 | 第19-27页 |
| 2.1 双靶磁控溅射法制备 GZO 薄膜 | 第19-21页 |
| 2.1.1 实验装置及原理 | 第19页 |
| 2.1.2 GZO 薄膜的制备流程 | 第19-21页 |
| 2.1.3 GZO 薄膜的退火工艺 | 第21页 |
| 2.2 ZnO 和 GZO 纳米晶体的制备方法 | 第21-23页 |
| 2.2.1 实验装置 | 第21页 |
| 2.2.2 纳米晶体制备流程 | 第21-22页 |
| 2.2.3 GZO 纳米晶体薄膜的后续处理 | 第22-23页 |
| 2.3 GZO 薄膜及纳米晶体的表征方法 | 第23-27页 |
| 2.3.1 材料结构及成分表征 | 第23-25页 |
| 2.3.2 材料性能表征 | 第25-27页 |
| 第3章 双靶磁控溅射 GZO 薄膜结构及性能的研究 | 第27-40页 |
| 3.1 Ga2O3靶溅射功率对 GZO 薄膜结构的影响 | 第27-28页 |
| 3.2 氧化镓靶溅射功率对 GZO 薄膜电学性能的影响 | 第28-29页 |
| 3.3 氧化镓靶溅射功率对 GZO 薄膜光学性能的影响 | 第29-31页 |
| 3.4 退火对 GZO 薄膜的结构及光电性能的影响 | 第31-39页 |
| 3.4.1 退火后 GZO 薄膜的结构和成分分析 | 第32-36页 |
| 3.4.2 退火对 GZO 薄膜的电学性能的影响 | 第36页 |
| 3.4.3 退火对 GZO 薄膜的光学性能的影响 | 第36-39页 |
| 3.5 本章小结 | 第39-40页 |
| 第4章 液相法制备 GZO 纳米晶体的研究 | 第40-61页 |
| 4.1 高温液相法制备 ZnO 纳米晶体结构及光学性能的研究 | 第40-47页 |
| 4.1.1 液相法制备氧化锌纳晶颗粒的反应机理研究 | 第40-42页 |
| 4.1.2 高温液相法制备 ZnO 纳米晶体的研究 | 第42-47页 |
| 4.2 高温液相法制备 GZO 纳米晶体结构、成分及性能的研究 | 第47-57页 |
| 4.2.1 不同保温时间对纳米晶体结构、成分及性能的影响 | 第47-49页 |
| 4.2.2 不同反应温度对 GZO 纳米晶体结构和性能的影响 | 第49-52页 |
| 4.2.3 不同前驱体浓度对纳米晶体结构和性能的影响 | 第52-57页 |
| 4.3 旋涂法制备 GZO 薄膜的研究 | 第57-59页 |
| 4.4 本章小结 | 第59-61页 |
| 结论 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
