| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 研究背景 | 第10-11页 |
| 1.2 薄膜应变计的研究现状 | 第11-14页 |
| 1.3 薄膜应变计材料的选择 | 第14页 |
| 1.4 TaN薄膜的研究现状 | 第14-16页 |
| 1.5 选题依据与研究内容 | 第16-18页 |
| 1.5.1 选题依据 | 第16-17页 |
| 1.5.2 研究内容 | 第17-18页 |
| 第二章 薄膜应变计的制备及表征方法 | 第18-24页 |
| 2.1 制备在Ni合金基板上的TaN薄膜应变计 | 第18-19页 |
| 2.2 结构/功能一体化的TaN薄膜应变计的制备工艺 | 第19-20页 |
| 2.3 薄膜材料表征方法 | 第20-21页 |
| 2.3.1 X射线衍射 | 第20页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜 | 第20-21页 |
| 2.3.3 薄膜厚度及方阻的测量 | 第21页 |
| 2.4 TaN薄膜应变计性能的测试 | 第21-24页 |
| 2.4.1 TaN薄膜应变计电阻温度系数的测试 | 第21-22页 |
| 2.4.2 TaN薄膜应变计应变敏感系数的测试 | 第22-24页 |
| 第三章 Al_2O_3陶瓷基片上TaN薄膜应变计的制备 | 第24-47页 |
| 3.1 TaN薄膜应变计的制备 | 第24-25页 |
| 3.2 溅射温度的影响 | 第25-31页 |
| 3.2.1 溅射温度对薄膜微结构的影响 | 第26-28页 |
| 3.2.2 溅射温度对室温电阻率的影响 | 第28页 |
| 3.2.3 溅射温度对TaN薄膜应变计电阻温度系数的影响 | 第28-30页 |
| 3.2.4 溅射温度对TaN薄膜应变计应变敏感系数的影响 | 第30-31页 |
| 3.3 溅射气氛的影响 | 第31-36页 |
| 3.3.1 溅射气氛对薄膜微结构的影响 | 第31-33页 |
| 3.3.2 溅射气氛对室温电阻率的影响 | 第33-34页 |
| 3.3.3 溅射气氛对TaN薄膜应变计电阻温度系数的影响 | 第34-36页 |
| 3.3.4 溅射气氛对TaN薄膜应变计应变敏感系数的影响 | 第36页 |
| 3.4 溅射气压的影响 | 第36-43页 |
| 3.4.1 溅射气压对薄膜微结构的影响 | 第37-39页 |
| 3.4.2 溅射气压对室温电阻率的影响 | 第39-40页 |
| 3.4.3 溅射气压对TaN薄膜应变计电阻温度系数的影响 | 第40-41页 |
| 3.4.4 溅射气压对TaN薄膜应变计应变敏感系数的影响 | 第41-43页 |
| 3.5 退火处理的影响 | 第43-45页 |
| 3.5.1 退火对TaN薄膜表面形貌的影响 | 第43-44页 |
| 3.5.2 退火时间对TaN薄膜应变计电阻值稳定化的影响 | 第44-45页 |
| 3.6 小结 | 第45-47页 |
| 第四章 TaN/PdCr双层薄膜应变计的制备与研究 | 第47-52页 |
| 4.1 TaN/PdCr双层薄膜应变计的制备 | 第47页 |
| 4.2 TaN/PdCr双层薄膜应变计的性能 | 第47-50页 |
| 4.2.1 TaN/PdCr双层薄膜应变计的电阻温度系数 | 第48-49页 |
| 4.2.2 TaN/PdCr双层薄膜应变计的应变敏感系数 | 第49-50页 |
| 4.3 小结 | 第50-52页 |
| 第五章 金属叶片上TaN薄膜应变计的制备 | 第52-61页 |
| 5.1 NiCrAlY附着层薄膜的制备和析铝氧化 | 第52-53页 |
| 5.1.1 NiCrAlY附着层薄膜的制备 | 第52-53页 |
| 5.1.2 NiCrAlY附着层薄膜的析铝氧化 | 第53页 |
| 5.2 Al_2O_3绝缘层薄膜的制备 | 第53-55页 |
| 5.3 TaN敏感层薄膜的制备及图形化工艺 | 第55-57页 |
| 5.3.1 干胶-光刻法图形化技术 | 第55-56页 |
| 5.3.2 金属掩膜法图形化技术 | 第56-57页 |
| 5.3.3 Ni基合金表面制备应变计敏感层工艺 | 第57页 |
| 5.4 Al_2O_3保护层薄膜的制备 | 第57页 |
| 5.5 金属叶片上TaN薄膜应变计的性能 | 第57-60页 |
| 5.6 小结 | 第60-61页 |
| 第六章 结论 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-67页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第67-68页 |
