| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-24页 |
| 1.1 LED 的发展及历史 | 第10-12页 |
| 1.2 LED 的工作原理 | 第12-13页 |
| 1.3 LED 的参数 | 第13-17页 |
| 1.3.1 LED 电学特征参数 | 第13-14页 |
| 1.3.2 LED 光学特征参数 | 第14-15页 |
| 1.3.3 LED 综合性能参数 | 第15-16页 |
| 1.3.4 LED 的一些典型效应 | 第16-17页 |
| 1.3 高压 LED 的发展及现状 | 第17-21页 |
| 1.4 论文的主要研究内容 | 第21-24页 |
| 第2章 高压 LED 制备的关键工艺研究 | 第24-38页 |
| 2.1 光刻技术 | 第24-25页 |
| 2.2 电感耦合等离子体刻蚀技术(ICP) | 第25-30页 |
| 2.2.1 ICP 刻蚀原理 | 第25-27页 |
| 2.2.2 掩膜材料对刻蚀的影响 | 第27-29页 |
| 2.2.3 ICP 功率和 RF 功率对刻蚀结果的影响 | 第29-30页 |
| 2.3 等离子体增强化学气相沉积（PECVD）的应用 | 第30-33页 |
| 2.3.1 PECVD 的反应原理 | 第31-32页 |
| 2.3.2 PECVD 在钝化层制备中的应用 | 第32页 |
| 2.3.3 PECVD 在电流阻挡层制备中的应用 | 第32-33页 |
| 2.4 电极溅射（Sputter） | 第33-34页 |
| 2.5 ITO 蒸镀及退火 | 第34-37页 |
| 2.5.1 ITO 沉积后的退火工艺主要起到几个作用 | 第35-36页 |
| 2.5.2 ITO 退火的方法 | 第36-37页 |
| 2.6 本章小结 | 第37-38页 |
| 第3章 高压 LED 的制备及版图设计 | 第38-48页 |
| 3.1 高压 LED 的制备流程 | 第38-39页 |
| 3.2 蓝光与绿光高压 LED 制备区别 | 第39-40页 |
| 3.3 12V、50V 的制备 | 第40-41页 |
| 3.4 高压 LED 的电学测试 | 第41-42页 |
| 3.5 高压 LED 的光学测试 | 第42-44页 |
| 3.6 几种可接市电的高压 LED 的版图设计 | 第44-46页 |
| 3.6.1 100V 交流高压 LED 的版图设计 | 第44-45页 |
| 3.6.2 100V、200V 直流高压 LED 的版图设计 | 第45-46页 |
| 3.7 本章小结 | 第46-48页 |
| 第4章 高压 LED 的热阻测试分析 | 第48-58页 |
| 4.1 热阻的定义与研究的意义 | 第48-49页 |
| 4.2 热阻的常用测量方法 | 第49-52页 |
| 4.2.1 电学参数法测试方法的原理 | 第50-51页 |
| 4.2.2 光谱法测热阻原理方法 | 第51-52页 |
| 4.3 高压 LED 的热阻测试分析 | 第52-56页 |
| 4.3.1 芯片封装结构及流程 | 第52页 |
| 4.3.2 搭建高压 LED 热阻测试平台 | 第52-53页 |
| 4.3.3 高压 LED 的热阻及测试结果 | 第53-56页 |
| 4.4 本章小结 | 第56-58页 |
| 第5章 高压 LED 的热仿真及红外热分析 | 第58-72页 |
| 5.1 有限元分析软件 ANSYS 介绍 | 第58页 |
| 5.2 高压 LED 关键部位 ANSYS 热仿真研究 | 第58-62页 |
| 5.2.1 仿真建模与结果 | 第58-61页 |
| 5.2.2 不同生成热对应仿真结果 | 第61-62页 |
| 5.3 高压 LED 的红外成像分析 | 第62-70页 |
| 5.3.1 红外热像仪介绍 | 第62-63页 |
| 5.3.2 影响红外测温系统精度的主要因素 | 第63-65页 |
| 5.3.3 50V 高压 LED 芯片表面热分布测试及分析 | 第65-66页 |
| 5.3.4 12V 高压 LED 芯片表面热分布测试及分析 | 第66-70页 |
| 5.4 高压 LED 大电流冲击失效分析 | 第70-71页 |
| 5.5 高压 LED 改进新设想 | 第71页 |
| 5.6 本章小结 | 第71-72页 |
| 结论 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-78页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第78-80页 |
| 致谢 | 第80页 |
