| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第13-24页 |
| 1.1 纳米材料概述 | 第13-14页 |
| 1.2 纳米金属颗粒 | 第14-17页 |
| 1.2.1 纳米金属颗粒的制备 | 第14-15页 |
| 1.2.2 纳米金属颗粒的特殊性能 | 第15-17页 |
| 1.3 纳米多层膜 | 第17-21页 |
| 1.3.1 纳米多层膜的制备方法 | 第17-20页 |
| 1.3.2 纳米多层膜的性能 | 第20-21页 |
| 1.4 本文研究目的、创新点及主要内容 | 第21-24页 |
| 1.4.1 本文研究的目的 | 第21-22页 |
| 1.4.2 本文的主要创新点 | 第22-23页 |
| 1.4.3 本文研究的主要内容 | 第23-24页 |
| 第二章 硅基喷射电沉积多层膜的工艺试验 | 第24-34页 |
| 2.1 喷射电沉积多层膜的机理分析 | 第24-26页 |
| 2.1.1 喷射电沉积的原理 | 第25-26页 |
| 2.1.2 喷射电沉积的优势 | 第26页 |
| 2.2 试验装置设计 | 第26-28页 |
| 2.3 工艺试验制定 | 第28-31页 |
| 2.3.1 电镀规范制定 | 第28-29页 |
| 2.3.2 电镀前处理的工艺选择 | 第29-31页 |
| 2.3.3 镀层的退镀液选择 | 第31页 |
| 2.4 试验结果分析与表征设备 | 第31-33页 |
| 2.4.1 S-3400N 扫描电子显微镜 | 第31页 |
| 2.4.2 WS-2005 涂层附着力自动划痕仪 | 第31-32页 |
| 2.4.3 电化学测试工作站 | 第32-33页 |
| 2.5 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 喷射电沉积流场仿真分析 | 第34-45页 |
| 3.1 CFD 软件简介 | 第34-35页 |
| 3.1.1 前处理器 GAMBIT | 第34-35页 |
| 3.1.2 求解器 FLUENT | 第35页 |
| 3.1.3 后处理 TECPLOT | 第35页 |
| 3.2 喷嘴流场分析仿真 | 第35-40页 |
| 3.2.1 计算域的选取和建立 | 第35-36页 |
| 3.2.2 网格的划分 | 第36-37页 |
| 3.2.3 基本物理模型 | 第37-38页 |
| 3.2.4 流场优化原理 | 第38-40页 |
| 3.3 喷嘴的仿真结果分析 | 第40-44页 |
| 3.3.1 喷嘴仿真结果 | 第40-43页 |
| 3.3.2 验证试验分析 | 第43-44页 |
| 3.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 硅基喷射电沉积膜基结合力的研究 | 第45-57页 |
| 4.1 多层膜与 Si 基底结合力的研究 | 第45-51页 |
| 4.1.1 粗糙度对膜基结合力的研究 | 第45-49页 |
| 4.1.2 刻蚀工艺对膜基结合力的影响 | 第49-51页 |
| 4.2 硅基纳米颗粒的制备 | 第51-56页 |
| 4.2.1 电流密度对颗粒大小的影响 | 第52-53页 |
| 4.2.2 粗糙度对颗粒大小的影响 | 第53-54页 |
| 4.2.3 扫描速度对颗粒大小的影响 | 第54-56页 |
| 4.3 本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 硅基喷射电沉积 Cu/Co 多层膜的性能研究 | 第57-70页 |
| 5.1 硅表面微观结构的设计 | 第57-62页 |
| 5.1.1 机械连接理论 | 第57-58页 |
| 5.1.2 提高硅基多层膜结合力的方法 | 第58页 |
| 5.1.3 电火花线切割硅技术 | 第58-60页 |
| 5.1.4 微观结构对膜基结合力的影响 | 第60-62页 |
| 5.2 工艺参数对多层膜制备的影响 | 第62-64页 |
| 5.2.1 电流密度对多层膜表观形貌的影响 | 第62-63页 |
| 5.2.2 扫描速度对多层膜表面形貌的影响 | 第63-64页 |
| 5.3 多层膜耐腐蚀性的对比 | 第64-69页 |
| 5.3.1 电流密度对硅基多层膜耐腐蚀性的影响对比 | 第66-67页 |
| 5.3.2 扫描速度对硅基多层膜耐腐蚀性的影响对比 | 第67-69页 |
| 5.4 本章小结 | 第69-70页 |
| 第六章 总结与展望 | 第70-72页 |
| 6.1 主要工作与总结 | 第70-71页 |
| 6.2 工作展望 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
| 在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第77页 |
