摘要 | 第6-7页 |
Abstract | 第7-8页 |
第1章 绪论 | 第11-21页 |
1.1 研究背景及意义 | 第11-13页 |
1.2 低温等离子体概述 | 第13-16页 |
1.2.1 低温等离子体的产生方式 | 第13-16页 |
1.2.2 材料表面改性方面的应用 | 第16页 |
1.3 国内外研究现状 | 第16-20页 |
1.3.1 牵引电机的绝缘破坏机理 | 第16-18页 |
1.3.2 材料的等离子体改性 | 第18-20页 |
1.4 本文主要内容 | 第20-21页 |
第2章 聚酰亚胺纳米薄膜的制备及结构表征 | 第21-28页 |
2.1 聚酰亚胺纳米复合薄膜的制备方法 | 第21-23页 |
2.1.1 主流制备方法 | 第21页 |
2.1.2 实验仪器和试剂 | 第21-23页 |
2.2 PI/Al_2O_3薄膜的制备流程 | 第23-25页 |
2.2.1 纳米粒子表面改性 | 第23页 |
2.2.2 PI/Al_2O_3薄膜的制备 | 第23-25页 |
2.3 PI/Al_2O_3薄膜结构表征 | 第25-27页 |
2.3.1 微观形貌 | 第25-26页 |
2.3.2 化学结构 | 第26-27页 |
2.4 本章小结 | 第27-28页 |
第3章 低温等离子体处理后PI/Al_2O_3薄膜的性能探究 | 第28-38页 |
3.1 试验系统及方法 | 第28-33页 |
3.1.1 介质阻挡放电平台 | 第28-31页 |
3.1.2 接触角实验 | 第31-32页 |
3.1.3 表面电导率测量 | 第32页 |
3.1.4 耐电晕测试系统 | 第32-33页 |
3.2 试验结果和讨论 | 第33-37页 |
3.2.1 接触角和表面能 | 第33-34页 |
3.2.2 表面电导率 | 第34-35页 |
3.2.3 耐电晕性能 | 第35-37页 |
3.3 本章小结 | 第37-38页 |
第4章 低温等离子体对PI/Al_2O_3薄膜性能的影响机理 | 第38-50页 |
4.1 等离子体表面改性机理 | 第38-45页 |
4.1.1 发射光谱 | 第38-39页 |
4.1.2 微观形貌 | 第39-41页 |
4.1.3 红外光谱 | 第41-43页 |
4.1.4 改性机理 | 第43-45页 |
4.2 等离子体处理对PI/Al_2O_3薄膜表面放电影响机理 | 第45-48页 |
4.2.1 单层薄膜表面放电 | 第45-47页 |
4.2.2 双层叠加薄膜表面放电 | 第47-48页 |
4.3 本章小结 | 第48-50页 |
结论 | 第50-51页 |
致谢 | 第51-52页 |
参考文献 | 第52-58页 |
攻读硕士学位期间发表的论文及科研成果 | 第58-59页 |