| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 目录 | 第6-9页 |
| Table of Contents | 第9-12页 |
| 第1章 绪论 | 第12-20页 |
| 1.1 研究背景 | 第12-15页 |
| 1.2 同位素辐射能量收集器的转换机制 | 第15-18页 |
| 1.2.1 直接能量转换 | 第15-16页 |
| 1.2.2 非直接能量转换 | 第16-18页 |
| 1.3 本文的研究内容 | 第18-20页 |
| 第2章 同位素辐射能量收集器的工作原理 | 第20-32页 |
| 2.1 引言 | 第20页 |
| 2.2 同位素辐射源的选择 | 第20-26页 |
| 2.2.1 同位素衰变方式 | 第20-22页 |
| 2.2.2 同位素的衰变规律 | 第22页 |
| 2.2.3 同位素辐射源的选择原则 | 第22-24页 |
| 2.2.4 辐射源~(63)Ni的衰变规律及能谱 | 第24-26页 |
| 2.3 同位素能量收集器的工作原理 | 第26-30页 |
| 2.3.1 β粒子的电荷收集原理 | 第26-27页 |
| 2.3.2 β粒子的动能收集原理 | 第27-28页 |
| 2.3.3 β粒子的势能收集原理 | 第28-30页 |
| 2.4 小结 | 第30-32页 |
| 第3章 同位素辐射能量收集器的理论模型及其结构设计 | 第32-58页 |
| 3.1 引言 | 第32页 |
| 3.2 同位素辐射能量收集器理论模型的建立 | 第32-49页 |
| 3.2.1 振动-机械能转化模型 | 第32-36页 |
| 3.2.2 辐射模型 | 第36-39页 |
| 3.2.3 静电式同位素辐射能量收集模型 | 第39-43页 |
| 3.2.4 压电式同位素辐射能量收集模型 | 第43-49页 |
| 3.3 同位素辐射能量收集器的结构设计 | 第49-57页 |
| 3.3.1 静电式同位素辐射能量收集器结构设计 | 第49-52页 |
| 3.3.2 压电式同位素辐射能量收集器结构设计 | 第52-54页 |
| 3.3.3 结构的机械阻尼与系统的机械品质因素 | 第54-57页 |
| 3.4 小结 | 第57-58页 |
| 第4章 同位素辐射能量收集器的仿真模拟 | 第58-76页 |
| 4.1 引言 | 第58页 |
| 4.2 ANSYS静力分析及模态分析 | 第58-67页 |
| 4.2.1 有限元软件介绍 | 第58页 |
| 4.2.2 有限元分析流程 | 第58-60页 |
| 4.2.3 静电式同位素辐射能量采集器的结构仿真 | 第60-63页 |
| 4.2.4 压电式同位素辐射能量采集器的结构仿真 | 第63-67页 |
| 4.3 Matlab/SIMULINK模拟分析 | 第67-73页 |
| 4.3.1 静电式同位素辐射能量采集器的性能仿真 | 第67-70页 |
| 4.3.2 压电式同位素辐射能量采集器的性能仿真 | 第70-73页 |
| 4.4 小结 | 第73-76页 |
| 第5章 同位素辐射能量收集器的制作工艺探究 | 第76-86页 |
| 5.1 引言 | 第76页 |
| 5.2 基本工艺介绍 | 第76-80页 |
| 5.2.1 氧化工艺介绍 | 第76-78页 |
| 5.2.2 光刻工艺介绍 | 第78-80页 |
| 5.2.3 剥离工艺介绍 | 第80页 |
| 5.3 静电式同位素辐射能量采集器的加工工艺流程设计 | 第80-84页 |
| 5.3.1 中层SOI片工艺流程 | 第80-82页 |
| 5.3.2 上、下玻璃片工艺流程 | 第82-83页 |
| 5.3.3 键合及加工中所用到的掩膜板 | 第83-84页 |
| 5.4 小结 | 第84-86页 |
| 第6章 总结与展望 | 第86-88页 |
| 参考文献 | 第88-92页 |
| 附录 | 第92-98页 |
| 致谢 | 第98-100页 |
| 发表论文 | 第100页 |