| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 非晶硅薄膜的特点及器件化应用 | 第11-13页 |
| 1.3 高效能硅器件的应用情况及其面临的困惑 | 第13-16页 |
| 1.3.1 太阳能光伏半导体材料的发展简况 | 第13-15页 |
| 1.3.2 光电探测器的发展现状 | 第15-16页 |
| 1.4 界面优化的研究现状及意义 | 第16-17页 |
| 1.5 论文的主要工作 | 第17-20页 |
| 1.5.1 选题意义 | 第17-18页 |
| 1.5.2 研究内容 | 第18-19页 |
| 1.5.3 技术路线 | 第19-20页 |
| 第二章 薄膜制备及其性能研究方法 | 第20-32页 |
| 2.1 氢化非晶硅薄膜制备 | 第20-25页 |
| 2.1.1 RF磁控溅射沉积装置 | 第20-22页 |
| 2.1.2 RF磁控溅射法沉积氢化非晶硅薄膜 | 第22-25页 |
| 2.2 薄膜微结构表征方法 | 第25-29页 |
| 2.2.1 原子力显微镜（AFM） | 第25-26页 |
| 2.2.2 傅里叶变换红外光谱（FT-IR） | 第26-27页 |
| 2.2.3 激光拉曼光谱（Raman） | 第27-28页 |
| 2.2.4 紫外-可见光谱（UV-VIS） | 第28页 |
| 2.2.5 椭偏测试 | 第28-29页 |
| 2.3 薄膜其它性能研究方法 | 第29-32页 |
| 2.3.1 薄膜噪声测试 | 第29-30页 |
| 2.3.2 界面优化水平评价 | 第30-32页 |
| 第三章 少子寿命测试方案设计与系统实现 | 第32-43页 |
| 3.1 少子寿命的理论基础 | 第32-37页 |
| 3.1.1 复合理论 | 第33-36页 |
| 3.1.2 表面复合与界面优化 | 第36-37页 |
| 3.2 少子寿命测量的方法及原理 | 第37页 |
| 3.3 少子寿命测量实验系统实现 | 第37-42页 |
| 3.3.1 测量系统设备选择 | 第38-39页 |
| 3.3.2 测试难点及解决方案 | 第39-40页 |
| 3.3.3 测量数据处理 | 第40-42页 |
| 3.4 少子寿命测量系统验证 | 第42-43页 |
| 第四章 氢气流量对非晶硅薄膜及a-Si/c-Si界面优化的影响 | 第43-56页 |
| 4.1 样品准备 | 第43页 |
| 4.2 氢气流量对薄膜表面形貌及微结构的影响 | 第43-53页 |
| 4.2.1 AFM结果分析与讨论 | 第44-45页 |
| 4.2.2 FT-IR结果分析与讨论 | 第45-48页 |
| 4.2.3 Raman结果分析与讨论 | 第48-50页 |
| 4.2.4 UV-VIS结果分析与讨论 | 第50-52页 |
| 4.2.5 椭偏结果分析与讨论 | 第52-53页 |
| 4.3 氢气流量对薄膜噪声性能及硅材料少子寿命的影响 | 第53-55页 |
| 4.3.1 噪声性能 | 第53-54页 |
| 4.3.2 少子寿命变化 | 第54-55页 |
| 4.4 小结 | 第55-56页 |
| 第五章 退火对薄膜微结构及硅材料少子寿命的影响 | 第56-62页 |
| 5.1 样品准备 | 第56页 |
| 5.2 退火对薄膜微结构的影响 | 第56-59页 |
| 5.2.1 FT-IR结果分析与讨论 | 第56-58页 |
| 5.2.2 Raman结果分析与讨论 | 第58-59页 |
| 5.3 退火对硅材料少子寿命的影响 | 第59-61页 |
| 5.4 小结 | 第61-62页 |
| 第六章 总结与展望 | 第62-64页 |
| 6.1 工作总结 | 第62-63页 |
| 6.2 展望 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 攻读硕士学位期间研究成果 | 第69-70页 |