| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-35页 |
| 1.1 引言 | 第10-13页 |
| 1.2 忆阻器的阻变研究进展 | 第13-24页 |
| 1.3 类突触电子器件的研究进展 | 第24-33页 |
| 1.4 论文选题意义及研究内容 | 第33-35页 |
| 第2章 氧化物薄膜制备技术及器件表征 | 第35-44页 |
| 2.1 薄膜生长技术 | 第35-39页 |
| 2.2 结构与形貌表征技术 | 第39-40页 |
| 2.3 电极制作技术 | 第40-42页 |
| 2.4 电学性能测试技术 | 第42-44页 |
| 第3章 TiO_2忆阻器件的制备及其阻变特性研究 | 第44-57页 |
| 3.1 引言 | 第44-45页 |
| 3.2 TiO_2忆阻器件的制备 | 第45-48页 |
| 3.3 Ti/TiO_2/Pt的阻变特性研究 | 第48-55页 |
| 3.4 本章小结 | 第55-57页 |
| 第4章 SrTiO_3忆阻器件的制备及其阻变特性研究 | 第57-84页 |
| 4.1 引言 | 第57-58页 |
| 4.2 施主掺杂SrTiO_3单晶的阻变特性研究 | 第58-69页 |
| 4.3 受主掺杂SrTiO_3薄膜阻变特性研究 | 第69-82页 |
| 4.4 本章小结 | 第82-84页 |
| 第5章 突触可塑性及巴普洛夫条件反射功能实现 | 第84-97页 |
| 5.1 Ni/Nb-SrTiO_3/Ti忆阻器模拟突触可塑性 | 第84-87页 |
| 5.2 Ni/Nb-SrTiO_3/Ti忆阻器实现巴甫洛夫条件反射功能 | 第87-95页 |
| 5.3 本章小结 | 第95-97页 |
| 第6章 心理学的学习-遗忘功能模拟 | 第97-107页 |
| 6.1 心理学上的学习-遗忘 | 第97-99页 |
| 6.2 Ni/Nb-SrTiO_3/Ti忆阻器的学习与遗忘定义 | 第99-100页 |
| 6.3 Ni/Nb-SrTiO_3/Ti忆阻器的学习-遗忘规律实现 | 第100-105页 |
| 6.4 本章小结 | 第105-107页 |
| 第7章 总结与展望 | 第107-110页 |
| 7.1 论文总结 | 第107-108页 |
| 7.2 论文创新点 | 第108-109页 |
| 7.3 展望 | 第109-110页 |
| 致谢 | 第110-111页 |
| 参考文献 | 第111-126页 |
| 附录1 攻读博士学位期间发表的论文目录 | 第126页 |
