| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 1 绪论 | 第12-24页 |
| 1.1 Ⅲ族氮化物材料基本性质 | 第13-16页 |
| 1.2 GaN/AlGaN量子阱结构的研究背景及意义 | 第16-19页 |
| 1.3 GaN/AlGaN量子阱结构的研究进展 | 第19-21页 |
| 1.3.1 国外研究进展 | 第19-20页 |
| 1.3.2 国内研究概况 | 第20-21页 |
| 1.4 本论文的研究内容及组织结构 | 第21-24页 |
| 2 GaN/AlGaN量子阱结构的理论和实验研究方法 | 第24-50页 |
| 2.1 AlGaN材料的基本性质与极化效应 | 第24-29页 |
| 2.2 GaN/AlGaN量子阱带内和带间跃迁理论计算方法 | 第29-39页 |
| 2.2.1 量子阱结构特点 | 第29-31页 |
| 2.2.2 GaN/AlGaN量子阱模型建立 | 第31-34页 |
| 2.2.3 薛定谔和泊松方程及有限差分法 | 第34-39页 |
| 2.3 MOCVD材料外延生长技术 | 第39-44页 |
| 2.4 材料测试表征技术 | 第44-49页 |
| 2.5 本章小结 | 第49-50页 |
| 3 GaN/AlGaN量子阱太赫兹子能级跃迁研究 | 第50-73页 |
| 3.1 太赫兹简介 | 第51-52页 |
| 3.2 量子阱极化电场调控研究 | 第52-58页 |
| 3.3 阶梯量子阱太赫兹波段子能级跃迁 | 第58-61页 |
| 3.4 量子阱结构参数对子能级跃迁的影响 | 第61-69页 |
| 3.5 掺杂对子能级跃迁的影响 | 第69-71页 |
| 3.6 本章小结 | 第71-73页 |
| 4 GaN/AlGaN量子阱光学二阶非线性极化率研究 | 第73-88页 |
| 4.1 光学二阶非线性效应简介 | 第74-76页 |
| 4.2 传统量子阱中二阶非线性极化率特性 | 第76-80页 |
| 4.3 阶梯型量子阱中二阶非线性极化率特性 | 第80-83页 |
| 4.4 双共振三能级系统增强二阶非线性极化率 | 第83-86页 |
| 4.5 本章小结 | 第86-88页 |
| 5 GaN/AlGaN量子阱结构激子发光特性研究 | 第88-117页 |
| 5.1 极性c面GaN/AlGaN量子阱结构激子发光特性研究 | 第89-105页 |
| 5.1.1 极性c面GaN/AlGaN量子阱结构MOCVD外延生长 | 第89-92页 |
| 5.1.2 量子阱中激子发光及局域特性研究 | 第92-97页 |
| 5.1.3 掺杂浓度对激子发光特性的影响 | 第97-105页 |
| 5.2 非极性a面GaN/AlGaN量子阱结构激子发光特性研究 | 第105-116页 |
| 5.2.1 非极性a面GaN/AlGaN量子阱结构MOCVD外延生长 | 第106-108页 |
| 5.2.2 激子局域态及其发光特性研究 | 第108-116页 |
| 5.3 本章小结 | 第116-117页 |
| 6 极化工程提升GaN/AlGaN量子阱结构发光效率研究 | 第117-139页 |
| 6.1 AlGaN基紫外LED发光效率及影响因子简介 | 第117-119页 |
| 6.2 极化电场对发光内量子效率的影响 | 第119-120页 |
| 6.3 AlGaN模板外延生长及发光特性研究 | 第120-125页 |
| 6.4 GaN/AlGaN量子阱结构MOCVD外延生长 | 第125-126页 |
| 6.5 GaN/AlGaN量子阱结构内量子效率增强机制研究 | 第126-137页 |
| 6.6 本章小结 | 第137-139页 |
| 7 总结与展望 | 第139-142页 |
| 7.1 工作总结 | 第139-141页 |
| 7.2 展望 | 第141-142页 |
| 致谢 | 第142-144页 |
| 参考文献 | 第144-160页 |
| 附录1 攻读博士学位期间发表的论文 | 第160-165页 |
| 附录2 攻读博士学位期间申请的专利 | 第165页 |
