首页--数理科学和化学论文--物理学论文--理论物理学论文--量子论论文

自旋量子比特的退相干,调控和可控耦合

目录第3-5页
摘要第5-6页
ABSTRACT第6页
第一章 总论第8-26页
    第1节 量子计算的基本条件第13-14页
    第2节 物理量子比特第14-20页
        2.1. 光量子比特第15-16页
        2.2. 电子自旋量子比特第16-19页
        2.3. 超导量子比特第19-20页
    第3节 量子门第20-23页
        3.1. 单比特门第20-21页
        3.2. 控制非门第21-23页
    参考文献第23-26页
第二章 中心自旋1系统的退相干第26-40页
    第1节 引言第26-28页
    第2节 模型第28-31页
    第3节 退相干函数第31-34页
    第4节 退相干函数的磁场依赖性第34-36页
    第5节 小结第36-37页
    参考文献第37-40页
第三章 Singlet-triplet逻辑量子比特之间的可控耦合第40-58页
    第1节 引言第40-43页
    第2节 双量子点中的singlet-triplet量子比特第43-45页
    第3节 两个singlet-triplet量子比特间的可控耦合第45-50页
    第4节 生成两比特门第50-53页
        4.1. 通过自由演化来生成纠缠态第50-52页
        4.2. 控制非门第52-53页
    第5节 小结第53-54页
    参考文献第54-58页
第四章 Spin-orbit量子比特以及利用它来探测纳米线中的自旋轨道耦合强度第58-73页
    第1节 引言第58-61页
    第2节 半导体纳米线量子点中的spin-orbit量子比特第61-65页
    第3节 电偶极自旋共振以及它对磁场的响应第65-68页
    第4节 小结第68-71页
    参考文献第71-73页
第五章 腔量子电动力学:Spin-orbit量子比特与谐振腔的耦合第73-82页
    第1节 引言第73-75页
    第2节 电磁场的量子化第75-77页
    第3节 Spin-orbit量子比特与谐振腔的耦合第77-79页
    第4节 小结第79-80页
    参考文献第80-82页
附录A 中心自旋有效Hamiltonian的推导第82-86页
附录B 中心自旋相互作用表象的推导第86-87页
附录C 双量子点中两电子自旋有效相互作用Hamiltonian的推导第87-92页
附录D 四量子点中有效自旋Hamiltonian的推导第92-94页
博士期间发表的论文第94-95页
致谢第95-96页

论文共96页,点击 下载论文
上一篇:新奇铁基超导材料和有机量子自旋液体材料的角分辨光电子能谱研究
下一篇:资产定价,稳健投资与随机最优控制的动态规划