| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第14-44页 |
| 1.1 胶体量子点 | 第14-19页 |
| 1.1.1 量子点的基本概念 | 第14页 |
| 1.1.2 量子点特性 | 第14-17页 |
| 1.1.3 半导体量子点光学特性 | 第17-19页 |
| 1.2 胶体量子点的制备与应用 | 第19-33页 |
| 1.2.1 胶体量子点合成的基础理论 | 第19-24页 |
| 1.2.2 胶体量子点制备系统 | 第24-26页 |
| 1.2.3 胶体量子点的主要制备方法 | 第26-28页 |
| 1.2.4 胶体量子点的主要应用 | 第28-33页 |
| 1.3 胶体量子点荧光粉LED的结构和匹配原理 | 第33-34页 |
| 1.3.1 胶体量子点荧光粉LED的结构 | 第33页 |
| 1.3.2 胶体量子点荧光粉LED的匹配原理 | 第33-34页 |
| 1.4 胶体量子点荧光粉LED的特性参数 | 第34-38页 |
| 1.4.1 荧光粉QD-LED辐射度量与光度量 | 第34-36页 |
| 1.4.2 荧光粉QD-LED色度量 | 第36-37页 |
| 1.4.3 荧光粉QD-LED量子产额与效率 | 第37-38页 |
| 1.5 LED用荧光粉的研究进展 | 第38-40页 |
| 1.5.1 稀土荧光粉 | 第38-39页 |
| 1.5.2 量子点荧光粉 | 第39-40页 |
| 1.6 本论文研究思路和主要内容 | 第40-44页 |
| 第2章 胶体量子点的电子结构与荧光辐射机制 | 第44-78页 |
| 2.1 半导体量子点的电子结构 | 第44-55页 |
| 2.1.1 有效质量近似处理理论 | 第44-47页 |
| 2.1.2 单粒子无限深势阱模型 | 第47-50页 |
| 2.1.3 单粒子有限深势阱模型 | 第50-53页 |
| 2.1.4 跃迁过程与选择定则 | 第53-55页 |
| 2.2 多种因素依赖的胶体量子点的禁带宽度 | 第55-66页 |
| 2.2.1 尺寸依赖的禁带宽度 | 第55-62页 |
| 2.2.2 组分依赖的禁带宽度 | 第62-66页 |
| 2.3 胶体半导体量子点的荧光辐射机制 | 第66-72页 |
| 2.3.1 量子点的光吸收与复合发光 | 第66-67页 |
| 2.3.2 Auger复合 | 第67-69页 |
| 2.3.3 荧光辐射性质 | 第69-72页 |
| 2.4 胶体半导体量子点中载流子的转移机制 | 第72-76页 |
| 2.4.1 载流子的转移效应 | 第73-75页 |
| 2.4.2 载流子能量转移的机理 | 第75-76页 |
| 2.5 结论 | 第76-78页 |
| 第3章 CdSe/CdS/ZnS量子点荧光粉LED制备和特性分析 | 第78-92页 |
| 3.1 Cd Se/CdS/ZnS核/壳/壳量子点合成 | 第78-85页 |
| 3.1.1 合成条件 | 第78-80页 |
| 3.1.2 合成过程 | 第80-81页 |
| 3.1.3 量子点表征 | 第81-85页 |
| 3.2 CdSe/CdS/ZnS核/壳/壳量子点荧光LED器件制备 | 第85-87页 |
| 3.2.1 Cd Se/CdS/ZnS核/壳/壳量子点荧光粉制备 | 第85-86页 |
| 3.2.2 Cd Se/CdS/ZnS核/壳/壳荧光粉LED制备 | 第86-87页 |
| 3.3 LED特性分析 | 第87-91页 |
| 3.3.1 组分变化引起色坐标变化 | 第87-89页 |
| 3.3.2 工作电压对色坐标、色温的影响 | 第89-90页 |
| 3.3.3 稳定性分析 | 第90-91页 |
| 3.4 结论 | 第91-92页 |
| 第4章 ZnCuInS/ZnSe/ZnS量子点荧光LED的制备及特性分析 | 第92-104页 |
| 4.1 ZnCuInS/ZnSe/ZnS核/壳/壳量子点合成 | 第92-97页 |
| 4.1.1 合成过程 | 第92-93页 |
| 4.1.2 量子点表征 | 第93-95页 |
| 4.1.3 ZnCuInS/ZnSe/ZnS核/壳/壳量子点发光机理 | 第95-97页 |
| 4.2 Zn CuInS/ZnSe/ZnS核/壳/壳量子点荧光LED制备 | 第97-98页 |
| 4.2.1 ZnCuInS/ZnSe/ZnS核/壳/壳量子点荧光粉制备 | 第97-98页 |
| 4.2.2 ZnCuInS/ZnSe/ZnS量子点LED制备 | 第98页 |
| 4.3 Zn CuInS/ZnSe/ZnS量子点LED特性分析 | 第98-102页 |
| 4.3.1 ZnCuInS/ZnSe/ZnS量子点荧光粉白光LED的光学性质 | 第98-100页 |
| 4.3.2 ZnCuInS/ZnSe/ZnS量子点LED的热效应 | 第100-102页 |
| 4.4 结论 | 第102-104页 |
| 第5章 液态量子点荧光白光LED | 第104-114页 |
| 5.1 液态ZnCuInS/ZnS量子点荧光LED制备及表征 | 第104-107页 |
| 5.1.1 液态ZnCuInS/ ZnS量子点的合成 | 第104-105页 |
| 5.1.2 液态ZnCuInS/ZnS核/壳量子点白光LED制备 | 第105-106页 |
| 5.1.3 液态ZnCuInS/ZnS核/壳量子点白光LED的表征 | 第106-107页 |
| 5.2 液态和固态AgInS_2量子点荧光LED制备及对比表征 | 第107-113页 |
| 5.2.1 AgInS_2量子点的合成和表征 | 第108-109页 |
| 5.2.2 液态和固态AgInS_2量子点白光LED制备 | 第109页 |
| 5.2.3 液态和固态AgInS_2量子点白光LED对比表征 | 第109-113页 |
| 5.3 结论 | 第113-114页 |
| 第6章 量子点荧光白光LED用于可见光通信的带宽特性研究 | 第114-122页 |
| 6.1 白光LED的电学特性 | 第114-115页 |
| 6.2 硬件电路系统设计 | 第115-118页 |
| 6.2.1 发射电路设计 | 第116-117页 |
| 6.2.2 接收电路设计 | 第117-118页 |
| 6.3 电路测量 | 第118-120页 |
| 6.4 结论 | 第120-122页 |
| 第7章 总结与展望 | 第122-126页 |
| 7.1 总结 | 第122-123页 |
| 7.2 工作展望 | 第123-126页 |
| 参考文献 | 第126-138页 |
| 作者简介及在学期间所取得的科研成果 | 第138-140页 |
| 致谢 | 第140页 |
