氧化钨基核壳异质纳米线阵列的制备及其NO2敏感性能研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-22页 |
| 1.1 纳米现象与效应 | 第8-10页 |
| 1.1.1 自然界中的纳米现象 | 第8-9页 |
| 1.1.2 纳米效应 | 第9-10页 |
| 1.1.3 纳米材料的应用 | 第10页 |
| 1.2 气敏传感器 | 第10-14页 |
| 1.2.1 定义与分类 | 第10-11页 |
| 1.2.2 金属氧化物半导体材料气敏机理 | 第11-12页 |
| 1.2.3 异质结气敏传感器研究现状 | 第12-14页 |
| 1.3 氧化钨纳米线 | 第14-16页 |
| 1.3.1 氧化钨材料及其应用 | 第14-15页 |
| 1.3.2 氧化钨气敏传感器 | 第15-16页 |
| 1.4 课题相关异质半导体材料简介 | 第16-20页 |
| 1.4.1 氧化钛半导体 | 第16-18页 |
| 1.4.2 氧化铜半导体 | 第18-20页 |
| 1.5 本课题主要研究内容和意义 | 第20-22页 |
| 第2章 垂直定向氧化钨基核壳异质纳米线阵列制备 | 第22-30页 |
| 2.1 实验设备 | 第22-23页 |
| 2.1.1 磁控溅射镀膜的工作原理 | 第22-23页 |
| 2.1.2 管式炉工作原理 | 第23页 |
| 2.1.3 马弗炉工作原理 | 第23页 |
| 2.2 实验过程 | 第23-29页 |
| 2.2.1 基片的切割和清洗 | 第24-25页 |
| 2.2.2 电极的沉积 | 第25页 |
| 2.2.3 金属钨薄膜的溅射沉积 | 第25-27页 |
| 2.2.4 准定向氧化钨纳米线阵列的热氧化生长 | 第27-28页 |
| 2.2.5 壳层的沉积与退火处理 | 第28-29页 |
| 2.3 本章小结 | 第29-30页 |
| 第3章 氧化钨基核壳异质纳米线微观结构表征 | 第30-38页 |
| 3.1 FESEM表征 | 第30-32页 |
| 3.2 XRD分析 | 第32-33页 |
| 3.3 TEM表征 | 第33-35页 |
| 3.4 XPS分析 | 第35-36页 |
| 3.5 氧化钨纳米线的生长机理 | 第36-37页 |
| 3.6 本章小结 | 第37-38页 |
| 第4章 氧化钨基核壳异质纳米线气敏性能研究 | 第38-52页 |
| 4.1 气敏测试装置 | 第38-39页 |
| 4.2 传感器特征参数 | 第39-40页 |
| 4.3 氧化钨/氧化钛纳米线NO2气敏性能分析 | 第40-45页 |
| 4.3.1 工作温度特性 | 第40-43页 |
| 4.3.2 灵敏度及快速响应-恢复特性 | 第43-44页 |
| 4.3.3 气体选择性 | 第44-45页 |
| 4.3.4 稳定性 | 第45页 |
| 4.4 氧化钨/氧化铜纳米线NO2气敏性能分析 | 第45-48页 |
| 4.4.1 工作温度特性 | 第45-46页 |
| 4.4.2 灵敏度与响应-恢复特性 | 第46-48页 |
| 4.5 氧化钨基核壳异质纳米线的气敏机理 | 第48-50页 |
| 4.6 本章小结 | 第50-52页 |
| 第5章 总结与展望 | 第52-54页 |
| 5.1 总结 | 第52-53页 |
| 5.2 展望 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-59页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
