| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 课题研究背景及意义 | 第11-31页 |
| 1.1 过渡金属二硫化物 | 第11-20页 |
| 1.1.1 过渡金属二硫化物的结构 | 第11-12页 |
| 1.1.2 单层和少层过渡金属二硫化物的性质 | 第12-15页 |
| 1.1.3 过渡金属二硫化物的制备方法 | 第15-20页 |
| 1.1.3.1 微机械剥离法 | 第15-16页 |
| 1.1.3.2 化学剥离法 | 第16-18页 |
| 1.1.3.3 化学气相沉积（CVD）法 | 第18-19页 |
| 1.1.3.4 水热合成法 | 第19页 |
| 1.1.3.5 范德华力外延法 | 第19-20页 |
| 1.2 异质结 | 第20-27页 |
| 1.2.1 半导体-半导体异质结的类别 | 第20-23页 |
| 1.2.2 过渡金属二硫化物基异质结的制备现状 | 第23-27页 |
| 1.3 超临界流体 | 第27-29页 |
| 1.3.1 超临界流体的性质 | 第27-28页 |
| 1.3.2 超临界二氧化碳剥离层状材料 | 第28-29页 |
| 1.4 课题研究内容和选题意义 | 第29-31页 |
| 第二章 超临界二氧化碳辅助剥离层状二硫化钨（WS_2） | 第31-44页 |
| 2.1 引言 | 第31-32页 |
| 2.2 实验原材料及仪器 | 第32页 |
| 2.3 实验过程 | 第32-34页 |
| 2.3.1 WS_2纳米片的制备 | 第32-33页 |
| 2.3.2 样品的表征 | 第33页 |
| 2.3.3 制备的WS_2纳米片对细胞的浸染及荧光测试 | 第33-34页 |
| 2.4 结果与讨论 | 第34-43页 |
| 2.4.1 乙醇含量对WS_2剥离效果的影响 | 第34-36页 |
| 2.4.2 剥离后WS_2纳米片的形貌与结构分析 | 第36-39页 |
| 2.4.3 不同离心转速对片层大小的影响 | 第39-40页 |
| 2.4.4 制备的WS_2纳米片的荧光性能及细胞标记实验 | 第40-43页 |
| 2.5 小结 | 第43-44页 |
| 第三章 二维二硫化钨/一水合三氧化钨（WS_2/WO_3?H_2O）横向异质结的制备及光催化研究 | 第44-61页 |
| 3.1 引言 | 第44-45页 |
| 3.2 实验试剂及主要仪器 | 第45-46页 |
| 3.3 实验过程 | 第46-48页 |
| 3.3.1 单层或少层二硫化钨的制备 | 第46页 |
| 3.3.2 WS_2/WO_3?H_2O异质结的制备 | 第46页 |
| 3.3.3 样品表征 | 第46页 |
| 3.3.4 光催化甲基橙降解 | 第46-47页 |
| 3.3.5 光电化学测试 | 第47页 |
| 3.3.6 计算细节 | 第47-48页 |
| 3.4 结果与讨论 | 第48-59页 |
| 3.4.1 WS_2/WO_3?H_2O异质结的形貌和结构表征 | 第48-55页 |
| 3.4.2 形成WS_2/WO_3?H_2O异质结的机理及理论计算分析 | 第55-57页 |
| 3.4.3 WS_2/WO_3?H_2O异质结的光电性能测试 | 第57-59页 |
| 3.5 小结 | 第59-61页 |
| 第四章 结论与展望 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 个人简历及硕士期间发表论文与科研成果 | 第75页 |
