毫米波InP HBT关键芯片技术研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 课题背景 | 第10-11页 |
| 1.2 发展动态 | 第11-14页 |
| 1.2.1 毫米波段压控振荡器的发展动态 | 第11-12页 |
| 1.2.2 毫米波放大器的发展动态 | 第12-14页 |
| 1.3 课题研究的目标与意义 | 第14-15页 |
| 1.4 本文主要内容 | 第15-16页 |
| 第二章 InP HBT特点与工艺 | 第16-21页 |
| 2.1 InP HBT器件特点 | 第16-19页 |
| 2.1.1 InP HBT器件结构 | 第16页 |
| 2.1.2 InP HBT工作机理 | 第16-18页 |
| 2.1.3 InP HBT高频性能 | 第18-19页 |
| 2.2 InP HBT的器件工艺 | 第19-20页 |
| 2.3 本章小结 | 第20-21页 |
| 第三章 InP HBT压控振荡器和放大器设计原理 | 第21-33页 |
| 3.1 VCO的原理 | 第21-28页 |
| 3.1.1 VCO简介 | 第21页 |
| 3.1.2 VCO的性能指标 | 第21-22页 |
| 3.1.3 常见的压控振荡器的结构 | 第22-25页 |
| 3.1.4 压控振荡器的负阻原理 | 第25-26页 |
| 3.1.5 压控振荡器的振荡条件 | 第26-28页 |
| 3.2 MMIC放大器设计的关键问题 | 第28-32页 |
| 3.2.1 放大器的主要性能参数 | 第28-29页 |
| 3.2.2 偏置点的选取 | 第29-30页 |
| 3.2.3 MMIC放大器的匹配电路设计 | 第30-31页 |
| 3.2.4 稳定性 | 第31-32页 |
| 3.3 本章小结 | 第32-33页 |
| 第四章 放大器电路设计及测试 | 第33-47页 |
| 4.1 放大器的设计步骤 | 第33页 |
| 4.2 放大器的设计 | 第33-44页 |
| 4.2.1 小信号模型选择 | 第33-34页 |
| 4.2.2 过渡结构的设计 | 第34页 |
| 4.2.3 偏置电路的设计 | 第34-35页 |
| 4.2.4 增益级 | 第35页 |
| 4.2.5 匹配电路 | 第35-39页 |
| 4.2.6 整版版图联合仿真 | 第39-41页 |
| 4.2.7 放大器的改进 | 第41-44页 |
| 4.3 220GHz放大器的测试 | 第44-45页 |
| 4.4 本章小结 | 第45-47页 |
| 第五章 压控振荡器的设计与测试 | 第47-62页 |
| 5.1 70GHz VCO的设计 | 第47-53页 |
| 5.1.1 压控振荡器的设计步骤如下 | 第47页 |
| 5.1.2 压控振荡器的设计 | 第47-53页 |
| 5.2 180GHz VCO的设计 | 第53-58页 |
| 5.3 测试 | 第58-61页 |
| 5.3.1 70GHz压控振荡器的测试 | 第58-59页 |
| 5.3.2 180GHz压控振荡器的测试 | 第59-61页 |
| 5.4 本章小结 | 第61-62页 |
| 第六章 总结 | 第62-64页 |
| 6.1 本文的主要内容 | 第62页 |
| 6.2 对未来的工作展望 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-68页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第68-69页 |
