| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 IGBT的发明背景 | 第9页 |
| 1.2 各项改进IGBT的新技术介绍 | 第9-14页 |
| 1.3 IGBT的应用前景与研究态势 | 第14页 |
| 1.4 本文的主要工作 | 第14-16页 |
| 第二章 场截止技术简介 | 第16-26页 |
| 2.1 IGBT的基本结构与工作原理 | 第16-22页 |
| 2.1.1 IGBT的静态电学特性 | 第17-19页 |
| 2.1.2 IGBT的动态电学特性 | 第19-21页 |
| 2.1.3 闩锁效应 | 第21-22页 |
| 2.2 场截止技术原理 | 第22-24页 |
| 2.3 场截止层对IGBT电学特性的影响 | 第24-25页 |
| 2.4 本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 1200VFS-IGBT元胞设计与建模 | 第26-36页 |
| 3.1 工艺流程设计 | 第27-29页 |
| 3.2 NPT-IGBT模型的建立 | 第29-30页 |
| 3.3 背面工艺流程设计 | 第30-31页 |
| 3.4 FS-IGBT模型的建立 | 第31-35页 |
| 3.5 本章小结 | 第35-36页 |
| 第四章 电学特性模拟与实际测试结果对比 | 第36-55页 |
| 4.1 电学特性模拟电路 | 第36-39页 |
| 4.2 NPT-IGBT电学特性模拟与测试结果对比 | 第39-43页 |
| 4.3 FS-IGBT电学特性模拟与测试结果对比 | 第43-53页 |
| 4.3.1 具有单峰分布场截止层的FS-IGBT | 第44-48页 |
| 4.3.2 具有双峰分布场截止层的FS-IGBT | 第48-53页 |
| 4.4 分析 | 第53-54页 |
| 4.5 本章小结 | 第54-55页 |
| 第五章 场截止层浓度分布研究 | 第55-60页 |
| 5.1 结构模型的建立 | 第55-57页 |
| 5.2 电学特性模拟分析与结论 | 第57-59页 |
| 5.3 本章小结 | 第59-60页 |
| 第六章 全文总结与展望 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-65页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第65-66页 |