| 摘要 | 第7-8页 |
| ABSTRACT | 第8页 |
| 第一章 绪论 | 第9-14页 |
| 1.1 二维材料 | 第9-11页 |
| 1.2 范德瓦尔斯异质结 | 第11-13页 |
| 1.3 本论文的研究思路 | 第13-14页 |
| 第二章 实验仪器与原理 | 第14-20页 |
| 2.1 超高真空技术（UHV） | 第14-16页 |
| 2.2 分子束外延（MBE） | 第16-17页 |
| 2.3 扫描隧道显微镜（STM） | 第17-19页 |
| 2.4 X射线光电子能谱仪（XPS） | 第19-20页 |
| 第三章 石墨烯的外延生长研究 | 第20-27页 |
| 3.1 Ru(0001)基底上石墨烯的外延生长 | 第20-24页 |
| 3.2 6H-SiC(0001)基底上石墨烯的外延生长 | 第24-27页 |
| 第四章 二维材料及范德瓦尔斯异质结的分子束外延生长 | 第27-45页 |
| 4.1 Graphene/SiC基底上Bi_2Se_3的MBE生长 | 第28-33页 |
| 4.2 Graphene/SiC基底上Bi_2Te_3的MBE生长 | 第33-35页 |
| 4.3 Graphene/SiC基底上MoSe_2的MBE生长 | 第35-39页 |
| 4.4 Graphene/SiC基底上MoTe_2的MBE生长 | 第39-45页 |
| 第五章 结论与展望 | 第45-47页 |
| 5.1 本论文主要工作 | 第45页 |
| 5.2 后续研究展望 | 第45-47页 |
| 致谢 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-53页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第53页 |
