基于三氧化钨电子结构和光学性质的第一性原理研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第12-23页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 半导体光催化材料的概述 | 第13-15页 |
| 1.2.1 半导体光催化的发展 | 第13页 |
| 1.2.2 半导体材料的光催化原理 | 第13-15页 |
| 1.3 WO_3半导体材料在国内外的研究现状 | 第15-17页 |
| 1.3.1 WO_3的晶体结构 | 第16页 |
| 1.3.2 传感器方面的应用 | 第16-17页 |
| 1.3.3 光催化领域的应用 | 第17页 |
| 1.3.4 WO_3在光催化应用方面存在的问题 | 第17页 |
| 1.4 增强WO_3光催化性能的途径 | 第17-21页 |
| 1.4.1 改善催化剂的粒径 | 第18页 |
| 1.4.2 金属离子掺杂 | 第18-20页 |
| 1.4.3 非金属离子掺杂 | 第20页 |
| 1.4.4 复合半导体 | 第20-21页 |
| 1.5 课题选择的意义和研究内容 | 第21-23页 |
| 第2章 计算原理与方法 | 第23-29页 |
| 2.1 引言 | 第23页 |
| 2.2 计算原理 | 第23-27页 |
| 2.2.1 第一性原理 | 第23-24页 |
| 2.2.2 密度泛函理论 | 第24-26页 |
| 2.2.3 赝势平面波法 | 第26-27页 |
| 2.3 计算软件系统 | 第27页 |
| 2.4 计算方案 | 第27-28页 |
| 2.5 本章小结 | 第28-29页 |
| 第3章 硫掺杂WO_3的第一性原理研究 | 第29-43页 |
| 3.1 引言 | 第29-30页 |
| 3.2 理论模型和计算方法 | 第30-32页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第32-42页 |
| 3.3.1 结构特性和缺陷形成能 | 第32-35页 |
| 3.3.2 马利肯电荷分布和化学键 | 第35-36页 |
| 3.3.3 电子结构 | 第36-40页 |
| 3.3.4 光学特性 | 第40-42页 |
| 3.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 第4章 WO_3/石墨烯复合的第一性原理研究 | 第43-51页 |
| 4.1 引言 | 第43页 |
| 4.2 理论模型和计算方法 | 第43-45页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第45-49页 |
| 4.3.1 几何结构 | 第45-46页 |
| 4.3.2 马利肯电荷分布与化学键 | 第46-48页 |
| 4.3.3 能带结构 | 第48页 |
| 4.3.4 光学特性 | 第48-49页 |
| 4.4 本章小结 | 第49-51页 |
| 总结与展望 | 第51-53页 |
| 总结 | 第51页 |
| 展望 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-62页 |
| 附录A 攻读硕士学位期间发表论文 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
