基于表面势的非晶铟镓氧化锌薄膜晶体管紧凑模型的研究
| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 缩略词 | 第9-10页 |
| 1 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第10-11页 |
| 1.2 a-IGZO的组分与制备方法 | 第11-14页 |
| 1.3 a-IGZO TFTs模型的研究进展 | 第14-17页 |
| 1.4 主要研究内容及论文结构 | 第17-18页 |
| 1.5 本章小结 | 第18-19页 |
| 2 a-IGZO的结构特性与传输机制 | 第19-26页 |
| 2.1 引言 | 第19页 |
| 2.2 能带结构与缺陷来源 | 第19-22页 |
| 2.3 传输机制与迁移率模型 | 第22-25页 |
| 2.4 本章小结 | 第25-26页 |
| 3 a-IGZO TFTs的表面势求解与直流模型 | 第26-45页 |
| 3.1 引言 | 第26页 |
| 3.2 表面势算法 | 第26-35页 |
| 3.3 基于Pao-Sah积分的电流模型 | 第35-38页 |
| 3.4 模型验证与讨论 | 第38-43页 |
| 3.5 本章小结 | 第43-45页 |
| 4 基于SQM的a-IGZO TFTs动态模型 | 第45-59页 |
| 4.1 引言 | 第45页 |
| 4.2 端电荷QG、QD与QS | 第45-51页 |
| 4.3 a-IGZO TFTs的电容模型 | 第51-52页 |
| 4.4 模型验证与讨论 | 第52-58页 |
| 4.5 本章小结 | 第58-59页 |
| 5 总结与展望 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-67页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68页 |
