| 摘要 | 第6-8页 |
| abstract | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-23页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 SIS异质结太阳电池简介 | 第13-20页 |
| 1.2.1 基本结构 | 第13-14页 |
| 1.2.2 SiO_x层对器件载流子输运的影响 | 第14-15页 |
| 1.2.3 国外研究概况 | 第15-18页 |
| 1.2.4 国内研究概况 | 第18-20页 |
| 1.3 论文的主要内容 | 第20-21页 |
| 本章参考文献 | 第21-23页 |
| 第二章 基于密度泛函理论的第一性原理和分子动力学方法 | 第23-35页 |
| 2.1 第一性原理计算方法 | 第23-31页 |
| 2.1.1 Hartree-Fock方法 | 第23-25页 |
| 2.1.2 密度泛函理论 | 第25-29页 |
| 2.1.3 赝势平面波方法 | 第29-31页 |
| 2.1.4 结构优化 | 第31页 |
| 2.1.5 自洽计算 | 第31页 |
| 2.2 第一性原理分子动力学方法 | 第31-32页 |
| 2.3 第一性原理计算软件包 | 第32-34页 |
| 本章参考文献 | 第34-35页 |
| 第三章 ITO/Si界面层结构的第一性原理研究 | 第35-55页 |
| 3.1 ITO/Si界面层结构的分子动力学模拟 | 第36-38页 |
| 3.1.1 计算方法与界面模型的构建 | 第36-37页 |
| 3.1.2 分子动力学模拟结果 | 第37-38页 |
| 3.2 掺杂In、Sn的a-SiO_2电子结构模型 | 第38-43页 |
| 3.2.1 a-SiO_2模型与计算方法 | 第38-40页 |
| 3.2.2 a-SiO_2掺杂In、Sn的电子结构 | 第40-43页 |
| 3.3 氧化物形成能的计算 | 第43-45页 |
| 3.4 非晶SiO_x(In)层对器件性能的影响 | 第45-48页 |
| 3.5 In-O-Si三元化合物制备与表征 | 第48-51页 |
| 3.6 本章小结 | 第51-52页 |
| 本章参考文献 | 第52-55页 |
| 第四章 结论与展望 | 第55-57页 |
| 4.1 结论 | 第55-56页 |
| 4.2 展望 | 第56-57页 |
| 作者在攻读硕士学位期间公开发表的论文 | 第57-59页 |
| 作者在攻读硕士学位期间所参与的项目 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
