摘要 | 第4-6页 |
ABSTRACT | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第14-41页 |
1.1 前言 | 第14-15页 |
1.2 光致发光的机理与表征 | 第15-18页 |
1.3 稀土元素与稀土发光 | 第18-20页 |
1.4 长余辉发光材料 | 第20-25页 |
1.4.1 长余辉发光材料简介 | 第20-21页 |
1.4.2 常见的长余辉发光材料体系 | 第21-25页 |
1.5 长余辉发光机理 | 第25-28页 |
1.5.1 Matsuzawa模型 | 第25-26页 |
1.5.2 Dorenbos模型 | 第26-27页 |
1.5.3 Aitasalo模型 | 第27-28页 |
1.6 无机发光材料的常用合成方法 | 第28-31页 |
1.6.1 高温固相法 | 第28-29页 |
1.6.2 溶胶-凝胶合成方法 | 第29页 |
1.6.3 共沉淀法 | 第29-30页 |
1.6.4 水热法 | 第30页 |
1.6.5 燃烧法 | 第30页 |
1.6.6 微波合成法 | 第30-31页 |
1.7 课题的提出及研究内容 | 第31-34页 |
参考文献 | 第34-41页 |
第二章 样品制备与测试 | 第41-47页 |
2.1 合成原料与表征仪器 | 第41-43页 |
2.1.1 试剂 | 第41-42页 |
2.1.2 仪器 | 第42-43页 |
2.2 样品合成 | 第43页 |
2.3 样品表征方法 | 第43-47页 |
2.3.1 粉末X射线衍射 | 第43-44页 |
2.3.2 激发光谱、发射光谱、余辉光谱 | 第44-45页 |
2.3.3 衰减曲线 | 第45页 |
2.3.4 热释光 | 第45页 |
2.3.5 色坐标计算 | 第45-47页 |
第三章 稀土离子掺杂的Ba_4(Si_3O_8)_2体系荧光与长余辉性能实验研究 | 第47-82页 |
3.1 前言 | 第47-48页 |
3.2 Ba_4(Si_3O_8)_2基质烧结条件与物相分析 | 第48-49页 |
3.3 Ba_4(Si_3O_8)_2:xEu~(2+)的制备与发光分析 | 第49-57页 |
3.3.1 XRD物相分析 | 第50-52页 |
3.3.2 激发光谱与发射光谱 | 第52-54页 |
3.3.3 色坐标分析 | 第54-55页 |
3.3.4 长余辉发光性质分析 | 第55-57页 |
3.4 碱土金属固溶取代对Ba_4(Si_3O_8)_2:Eu~(2+)的发光性能的影响 | 第57-64页 |
3.4.1 Ca~(2+)取代对Ba_4(Si_3O_8)_2:Eu~(2+)的发光性能的影响 | 第57-60页 |
3.4.2 Sr~(2+)取代对Ba_4(Si_3O_8)_2:Eu~(2+)的发光性能的影响 | 第60-64页 |
3.5 Ba_4(Si_3O_8)_2:Eu~(2+),RE~(3+)(RE=Ho,Dy,Pr,Nd,Gd)发光性能分析 | 第64-77页 |
3.5.1 样品制备与物相分析 | 第64-65页 |
3.5.2 荧光属性分析 | 第65-67页 |
3.5.3 余辉属性分析 | 第67-77页 |
3.6 本章小结 | 第77-78页 |
参考文献 | 第78-82页 |
第四章 Ba_2ZnSi_2O_7:基质荧光粉荧光与余辉属性的研究 | 第82-107页 |
4.1 前言 | 第82-83页 |
4.2 Ba_2ZnSi_2O_7:Eu~(2+),RE~(3+)(RE=Ho,Pr,Dy)体系荧光与余辉属性分析 | 第83-93页 |
4.2.1 实验过程与物相分析 | 第83-85页 |
4.2.2 激发与发射光谱分析 | 第85-87页 |
4.2.3 余辉属性分析 | 第87-93页 |
4.3 Ba_2ZnSi_2O_7:Ce~(3+),Tb~(3+)体系能量传递和发光颜色调节的研究 | 第93-103页 |
4.3.1 实验过程与物相分析 | 第93-94页 |
4.3.2 激发与发射光谱分析 | 第94-99页 |
4.3.3 能量传递过程分析讨论 | 第99-103页 |
4.4 本章小结 | 第103-104页 |
References | 第104-107页 |
总结与展望 | 第107-110页 |
一、研究总结 | 第107-108页 |
1. 稀土掺杂Ba_4(Si_3O_8)_2基质长余辉发光材料 | 第107-108页 |
2. 长余辉材料Ba_2ZnSi_2O_7:Eu~(2+),RE~(3+) | 第108页 |
3. Ba_2ZnSi_2O_7:Ce~(3+),Tb~(3+) | 第108页 |
二、后续研究展望 | 第108-110页 |
攻读学位期间发表的论文 | 第110-113页 |
致谢 | 第113页 |