SiC单晶的表面清洗和化学蚀刻研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 课题背景及研究的目的和意义 | 第9-10页 |
| 1.1.1 课题背景 | 第9-10页 |
| 1.1.2 课题研究目的及意义 | 第10页 |
| 1.2 SiC 清洗的研究进展 | 第10-14页 |
| 1.2.1 SiC 材料简介 | 第10-11页 |
| 1.2.2 SiC 清洗的研究现状 | 第11-14页 |
| 1.3 SiC 的抛光及研究进展 | 第14-17页 |
| 1.3.1 传统抛光方法 | 第14-15页 |
| 1.3.2 贵金属催化抛光方法 | 第15-16页 |
| 1.3.3 SiC 单晶样品的表征 | 第16-17页 |
| 1.4 课题的研究内容 | 第17-19页 |
| 1.4.1 SiC 单晶的清洗 | 第17-18页 |
| 1.4.2 SiC 单晶的贵金属催化蚀刻 | 第18-19页 |
| 第2章 实验材料及研究方法 | 第19-23页 |
| 2.1 实验材料及设备 | 第19-20页 |
| 2.1.1 实验材料 | 第19-20页 |
| 2.1.2 实验仪器 | 第20页 |
| 2.2 SiC 单晶的清洗、蚀刻及表征 | 第20-23页 |
| 2.2.1 SiC 单晶的清洗 | 第20-21页 |
| 2.2.2 SiC 单晶的蚀刻 | 第21-22页 |
| 2.2.3 SiC 单晶的表征 | 第22-23页 |
| 第3章 SiC 单晶的表面清洗研究 | 第23-38页 |
| 3.1 刚拆封的 SiC 单晶原片的清洗 | 第23-30页 |
| 3.1.1 SiC 单晶的湿化学清洗 | 第25-28页 |
| 3.1.2 SiC 单晶的其他清洗 | 第28-30页 |
| 3.2 拆封暴露放置后 SiC 单晶的清洗 | 第30-34页 |
| 3.3 HF 溶液浸泡后 SiC 单晶的清洗 | 第34-36页 |
| 3.4 本章小结 | 第36-38页 |
| 第4章 SiC 单晶的 Pt 接触化学蚀刻研究 | 第38-53页 |
| 4.1 Pt 丝定点接触蚀刻 | 第38-43页 |
| 4.2 沉积纳米 Pt 粒子的蚀刻 | 第43-45页 |
| 4.3 Pt 粉接触蚀刻 | 第45-52页 |
| 4.3.1 蚀刻时间的影响 | 第46-49页 |
| 4.3.2 不同蚀刻溶液的影响 | 第49-52页 |
| 4.4 本章小结 | 第52-53页 |
| 第5章 SiC 单晶的非 Pt 接触化学蚀刻研究 | 第53-60页 |
| 5.1 SiC 单晶在 HF 中的蚀刻 | 第53-56页 |
| 5.1.1 浸泡时间的影响 | 第53-55页 |
| 5.1.2 HF 浓度的影响 | 第55-56页 |
| 5.2 SiC 单晶的 Au、Ag 接触化学蚀刻 | 第56-59页 |
| 5.2.1 Au 粉的影响 | 第57-58页 |
| 5.2.2 Ag 粉的影响 | 第58-59页 |
| 5.3 本章小结 | 第59-60页 |
| 结论 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-66页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68页 |
