中文摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-8页 |
第一章 绪论 | 第11-24页 |
§1.1 引言 | 第11页 |
§1.2 高压物理学简介 | 第11-15页 |
§1.2.1 高压研究的重要性 | 第11-13页 |
§1.2.2 高压实验技术的发展 | 第13-14页 |
§1.2.3 高压对物质的作用 | 第14-15页 |
§1.3 双钙钛矿型氧化物的研究概况 | 第15-20页 |
§1.3.1 钙钛矿及双钙钛矿型氧化物的晶体结构 | 第15-18页 |
§1.3.2 双钙钛矿型氧化物的磁性研究 | 第18-19页 |
§1.3.3 双钙钛矿型氧化物的高压研究概况 | 第19-20页 |
§1.4 双钙钛矿氧化物 B 位掺杂效应的研究 | 第20-21页 |
§1.5 本论文的选题和意义 | 第21-22页 |
§1.6 本论文各部分的研究内容 | 第22-24页 |
第二章 样品的制备方法与表征方法 | 第24-35页 |
§2.1 制备方法简介 | 第24-28页 |
§2.1.1 固相反应法 | 第24-25页 |
§2.1.2 溶胶-凝胶法 | 第25-26页 |
§2.1.3 高温高压制备法 | 第26-28页 |
§2.2 测试仪器与表征方法 | 第28-31页 |
§2.2.1 常规 X 射线衍射(XRD)表征 | 第28-29页 |
§2.2.2 拉曼光谱的表征 | 第29-31页 |
§2.2.3 磁性质的表征 | 第31页 |
§2.3 高压装置及高压原位光谱测量方法 | 第31-35页 |
§2.3.1 高压实验装置简介 | 第31-33页 |
§2.3.2 同步辐射-X 光衍射(SRXRD)表征 | 第33-34页 |
§2.3.3 高压拉曼光谱表征 | 第34-35页 |
第三章 Te-基双钙钛矿氧化物 A2BTeO6(A=Sr, Ba; B=Zn, Cu, Co, Ni, Mg)的制备与表征 | 第35-58页 |
§3.1 引言 | 第35页 |
§3.2 样品的制备 | 第35-36页 |
§3.3 样品的表征 | 第36-56页 |
§3.3.1 样品 Sr2BTeO6(B=Zn, Cu, Co, Ni, Mg)的 XRD 表征 | 第36-40页 |
§3.3.2 样品 Ba2BTeO6(B=Zn, Cu, Co, Ni)的 XRD 表征 | 第40-44页 |
§3.3.3 样品 Sr2BTeO6(B=Zn, Cu, Co, Ni, Mg)的 Raman 表征 | 第44-48页 |
§3.3.4 样品 Ba2BTeO6(B=Zn, Cu, Co, Ni)的 Raman 表征 | 第48-51页 |
§3.3.5 样品 A2BTeO6(A=Sr, Ba; B=Cu, Co, Ni)的磁性表征 | 第51-56页 |
§3.4 本章小结 | 第56-58页 |
第四章 B 位掺杂型双钙钛矿 Sr2M1-xZnxTeO6(M=Cu, Co, Ni)的晶体结构及磁性研究 | 第58-70页 |
§4.1 引言 | 第58-59页 |
§4.2 样品的制备 | 第59页 |
§4.3 样品的表征 | 第59-69页 |
§4.3.1 样品的 XRD 表征 | 第59-64页 |
§4.3.2 样品的 Raman 光谱表征 | 第64-67页 |
§4.3.3 样品的磁性表征 | 第67-69页 |
§4.4 本章小结 | 第69-70页 |
第五章 Te-基双钙钛矿氧化物 A2BTeO6(A=Sr, Ba; B=Zn, Cu, Co, Ni, Mg)的原位高压研究 | 第70-97页 |
§5.1 引言 | 第70-71页 |
§5.2 样品的原位高压 X 射线衍射表征 | 第71-84页 |
§5.2.1 样品 Sr2ZnTeO6的原位高压 X 射线表征 | 第71-73页 |
§5.2.2 样品 Sr2MgTeO6的原位高压 X 射线表征 | 第73-77页 |
§5.2.3 样品 Ba2BTeO6(B=Zn, Co, Ni)的原位高压 X 射线表征 | 第77-84页 |
§5.3 样品的原位高压拉曼光谱表征 | 第84-96页 |
§5.3.1 样品 Sr2BTeO6(B=Zn, Cu, Co, Ni)的原位高压拉曼光谱表征 | 第84-90页 |
§5.3.2 样品 Ba2BTeO6(B=Zn, Co, Ni)的原位高压拉曼光谱表征 | 第90-96页 |
§5.4 本章小结 | 第96-97页 |
第六章 结论与展望 | 第97-100页 |
§6.1 结论 | 第97-98页 |
§6.2 展望 | 第98-100页 |
参考文献 | 第100-108页 |
攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第108-110页 |
作者简介 | 第110-111页 |
致谢 | 第111页 |