| 摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-10页 |
| 第一章 引言 | 第14-26页 |
| 1.1 拓扑绝缘体的研究进展 | 第14-21页 |
| 1.1.1 从整数量子霍尔效应到拓扑绝缘体 | 第14-18页 |
| 1.1.2 拓扑绝缘体的研究进展 | 第18-21页 |
| 1.2 磁性拓扑绝缘体中磁性的来源 | 第21-24页 |
| 1.3 本章小结 | 第24页 |
| 1.4 后续章节内容安排 | 第24-26页 |
| 第二章 晶体生长及实验仪器介绍 | 第26-48页 |
| 2.1 晶体生长 | 第26-32页 |
| 2.1.1 熔融法 | 第26-28页 |
| 2.1.2 MBE方法 | 第28-32页 |
| 2.2 极低温及强磁场技术 | 第32-39页 |
| 2.2.1 极低温技术 | 第32-38页 |
| 2.2.2 强磁场技术 | 第38-39页 |
| 2.3 SPSTM | 第39-45页 |
| 2.3.1 STM的工作原理 | 第39-42页 |
| 2.3.2 SPSTM的工作原理 | 第42-45页 |
| 2.4 PPMS及其他输运测试设备 | 第45-47页 |
| 2.5 本章小结 | 第47-48页 |
| 第三章 磁性分子在拓扑绝缘体表面的吸附研究 | 第48-72页 |
| 3.1 磁性拓扑绝缘体 | 第48-49页 |
| 3.2 拓扑绝缘体表面吸附磁性原子的研究进展 | 第49-53页 |
| 3.3 拓扑绝缘体薄膜的制备及磁性分子蒸镀 | 第53-56页 |
| 3.3.1 Bi2Te3薄膜的制备 | 第53-54页 |
| 3.3.2 Bi2Se3薄膜的制备 | 第54-56页 |
| 3.3.3 FePc分子的蒸镀 | 第56页 |
| 3.4 磁性分子在拓扑绝缘体及NbSe2表面吸附的结构分析 | 第56-65页 |
| 3.4.1 FePc在Bi2Te3上的吸附 | 第56-59页 |
| 3.4.2 FePc在Bi2Se3上的吸附 | 第59-61页 |
| 3.4.3 FePc在NbSe2上的吸附 | 第61-65页 |
| 3.5 FePc在Bi2Te3表面的磁性分析及理论计算 | 第65-70页 |
| 3.6 本章小结 | 第70-72页 |
| 第四章 稀土金属掺杂拓扑绝缘体的表征 | 第72-86页 |
| 4.1 体掺杂磁性拓扑绝缘体的研究背景 | 第72-75页 |
| 4.2 Bi_(2-x)Gd_xSe_3的生长 | 第75-76页 |
| 4.3 晶体结构及掺杂量 | 第76-77页 |
| 4.4 Bi_(1.98)Gd_(0.02)Se_3的表面缺陷及能带结构 | 第77-80页 |
| 4.5 Bi_(1.98)Gd_(0.02)Se_3中的缺陷散射及电子态散射 | 第80-83页 |
| 4.6 Bi_(1.98)Gd_(0.02)Se_3的磁性表征 | 第83-85页 |
| 4.7 本章小结 | 第85-86页 |
| 第五章 磁性拓扑绝缘体体系中QAHE的研究 | 第86-104页 |
| 5.1 QAHE的研究进展 | 第86-92页 |
| 5.2 过渡金属掺杂的拓扑绝缘体 | 第92-96页 |
| 5.2.1 掺杂Fe的拓扑绝缘体 | 第92-94页 |
| 5.2.2 掺杂Cr的拓扑绝缘体 | 第94-96页 |
| 5.3 掺杂V体系中磁性拓扑绝缘体的获得 | 第96-99页 |
| 5.4 掺杂V体系中反常霍尔效应的研究 | 第99-102页 |
| 5.5 本章小结 | 第102-104页 |
| 第六章 总结及展望 | 第104-106页 |
| 参考文献 | 第106-120页 |
| 附录 符号与标记 | 第120-122页 |
| 攻读博士学位期间已发表或录用的论文 | 第122-124页 |
| 致谢 | 第124页 |
