| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一篇 微波低噪声放大器毁伤机理研究 | 第14-151页 |
| 第一章 绪论 | 第15-21页 |
| 1.1 研究背景 | 第15-17页 |
| 1.1.1 传统电子战面临的挑战及其对策 | 第15-16页 |
| 1.1.2 国内外的研究现状 | 第16-17页 |
| 1.1.3 论文的研究目标和研究意义 | 第17页 |
| 1.2 论文的主要工作与内容编排 | 第17-19页 |
| 1.3 论文的主要创新 | 第19-21页 |
| 第二章 靶目标的分析与解剖 | 第21-33页 |
| 2.1 靶目标的选择 | 第21-22页 |
| 2.2 靶目标的结构特点 | 第22-24页 |
| 2.3 靶目标的"前门"与"后门"耦合途径分析 | 第24-28页 |
| 2.3.1 "前门"耦合途径分析 | 第24-26页 |
| 2.3.2 "后门"耦合途径分析 | 第26-27页 |
| 2.3.3 毁伤信号源所需要的有效辐射功率计算 | 第27-28页 |
| 2.4 靶目标"前门"通道前端组成及特点 | 第28-30页 |
| 2.5 "前门"通道毁伤实验方法 | 第30-32页 |
| 2.6 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 注入式毁伤实验平台的建立和实验步骤 | 第33-49页 |
| 3.1 实验效应物和实验方案 | 第33-35页 |
| 3.2 实验平台 | 第35-39页 |
| 3.3 微波低噪声放大器毁伤实验分类、目的与步骤 | 第39-42页 |
| 3.4 微波低噪声放大器的解剖、电路反求和分析 | 第42-48页 |
| 3.4.1 ERA-5放大器解剖、电路提取与分析 | 第42-44页 |
| 3.4.2 ERA-3放大器解剖、电路提取与分析 | 第44-45页 |
| 3.4.3 A-放大器解剖、电路提取与分析 | 第45-47页 |
| 3.4.4 E5B放大器解剖、电路提取与分析 | 第47-48页 |
| 3.5 本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 不同形式信号注入放大器的毁伤能力分析 | 第49-69页 |
| 4.1 基础理论 | 第49-52页 |
| 4.1.1 信号的能量、功率和功率谱的定义 | 第49-50页 |
| 4.1.2 傅立叶变换 | 第50-51页 |
| 4.1.3 信号能量、功率、功率谱(功率密度)与频谱函数F(jω)的关系 | 第51-52页 |
| 4.2 常见脉冲信号一个周期内的平均功率和能量 | 第52-55页 |
| 4.2.1 方波信号输入 | 第52页 |
| 4.2.2 正弦波信号输入 | 第52-53页 |
| 4.2.3 锯齿波输入 | 第53页 |
| 4.2.4 调制矩形波 | 第53-54页 |
| 4.2.5 高斯波 | 第54页 |
| 4.2.6 调制高斯波 | 第54-55页 |
| 4.2.7 离散频率的扫频波 | 第55页 |
| 4.3 常见脉冲波形的功率谱计算 | 第55-62页 |
| 4.3.1 矩形脉冲 | 第56-58页 |
| 4.3.2 半波余弦 | 第58-59页 |
| 4.3.3 三角脉冲 | 第59-62页 |
| 4.4 不同形式信号注入放大器的毁伤能力分析 | 第62-67页 |
| 4.5 本章小结 | 第67-69页 |
| 第五章 微波低噪声放大器的毁伤实验及毁伤机理研究 | 第69-109页 |
| 5.1 连续波注入毁伤实验 | 第69-71页 |
| 5.2 单脉冲注入毁伤实验 | 第71-87页 |
| 5.2.1 ERA-5放大器在三种载频下的单脉冲注入毁伤实验 | 第72-77页 |
| 5.2.2 ERA-3放大器在三种载频下的单脉冲注入毁伤实验 | 第77-85页 |
| 5.2.3 A-放大器在三种载频下的单脉冲注入毁伤实验 | 第85-87页 |
| 5.3 连续脉冲(脉冲串)注入毁伤实验 | 第87-94页 |
| 5.4 脉冲串注入时的脉冲个数计数毁伤实验 | 第94-103页 |
| 5.5 一些特殊的专项实验 | 第103-107页 |
| 5.6 本章小结 | 第107-109页 |
| 第六章 微波低噪声放大器毁伤实验结果的分析与讨论 | 第109-129页 |
| 6.1 连续波和单脉冲注入毁伤实验对毁伤信号样式的借鉴 | 第109-112页 |
| 6.2 不同注入信号参数和信号样式下的毁伤实验结果对比讨论 | 第112-124页 |
| 6.3 ERA-5放大器偏置状态、信号注入端对与毁伤能量之间的关系 | 第124-126页 |
| 6.4 脉宽对GaAs微波低噪声放大器功能毁伤的影响 | 第126-128页 |
| 6.5 本章小结 | 第128-129页 |
| 第七章 微波低噪声放大器的初步仿真 | 第129-149页 |
| 7.1 仿真软件和器件模型 | 第130页 |
| 7.2 微波低噪声放大器的仿真与分析 | 第130-146页 |
| 7.2.1 A-放大器的仿真与分析 | 第130-135页 |
| 7.2.2 ERA-3放大器的仿真与分析 | 第135-137页 |
| 7.2.3 ERA-5放大器的仿真与分析 | 第137-146页 |
| 7.3 微波低噪声放大器仿真存在的问题与目标 | 第146-148页 |
| 7.4 本章小结 | 第148-149页 |
| 第八章 第一篇结束语 | 第149-151页 |
| 第二篇 SiC薄膜的外延生长与刻蚀技术研究 | 第151-202页 |
| 第九章 绪论 | 第152-165页 |
| 9.1 SiC晶体结构与材料特性 | 第152-157页 |
| 9.1.1 SiC晶体结构 | 第152-155页 |
| 9.1.2 SiC材料特性与应用领域 | 第155-157页 |
| 9.2 SiC晶体生长与刻蚀技术概要 | 第157-163页 |
| 9.2.1 高温升华法制备SiC晶体 | 第158-159页 |
| 9.2.2 液相外延法制备SiC晶体 | 第159-160页 |
| 9.2.3 化学气相淀积(CVD)技术制备SiC材料 | 第160-161页 |
| 9.2.4 SiC材料的干法刻蚀技术 | 第161-163页 |
| 9.3 本论文的主要工作与内容编排 | 第163-165页 |
| 第十章 SiC薄膜材料的异质外延生长 | 第165-180页 |
| 10.1 外延系统与工艺方案 | 第166-168页 |
| 10.2 "碳化缓冲层"技术 | 第168-170页 |
| 10.3 外延生长温度对SiC薄膜微结构的影响研究 | 第170-174页 |
| 10.4 外延层的化学组分研究 | 第174-177页 |
| 10.5 Si基外延β-SiC薄膜的生长机制 | 第177-178页 |
| 10.6 本章小结 | 第178-180页 |
| 第十一章 Si基外延β-SiC薄膜的等离子体刻蚀技术研究 | 第180-200页 |
| 11.1 等离子体刻蚀装置及工作原理 | 第180-183页 |
| 11.2 β-SiC薄膜的等离子体刻蚀技术研究 | 第183-199页 |
| 11.2.1 SiC薄膜的CF_4和CF_4+O_2等离子体刻蚀研究 | 第183-189页 |
| 11.2.2 SiC薄膜的SF_6和SF_6+O_2等离子体刻蚀研究 | 第189-192页 |
| 11.2.3 SiC薄膜在不同刻蚀气体中的等离子体刻蚀结果比较 | 第192-195页 |
| 11.2.4 SiC薄膜的等离子体图形刻蚀研究 | 第195-199页 |
| 11.3 本章小结 | 第199-200页 |
| 第十二章 第二篇结束语 | 第200-202页 |
| 致谢 | 第202-203页 |
| 参考文献 | 第203-216页 |
| 攻读博士学位期间主持(参加)的科研项目和研究成果 | 第216-219页 |
