| 中文摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 综述 | 第9-20页 |
| 1.1 半导体自旋电子学与稀磁半导体 | 第9-13页 |
| 1.1.1 自旋电子学的起源和发展 | 第9页 |
| 1.1.2 稀磁半导体材料的性质 | 第9-11页 |
| 1.1.3 氧化物稀磁半导体铁磁性起源的理论背景 | 第11-13页 |
| 1.2 SnO_2基宽带稀磁半导体材料 | 第13-18页 |
| 1.2.1 SnO_2材料简介 | 第13-16页 |
| 1.2.2 SnO_2基宽带稀磁半导体材料的研究背景 | 第16-18页 |
| 1.3 选题依据及本论文的工作 | 第18-20页 |
| 第二章 薄膜的制备、结构表征和物性测量 | 第20-35页 |
| 2.1 薄膜的制备 | 第20-24页 |
| 2.1.1 磁控溅射原理 | 第20-21页 |
| 2.1.2 薄膜的制备与退火处理 | 第21-24页 |
| 2.2 薄膜的结构表征和物性测量 | 第24-35页 |
| 2.2.1 薄膜的结构表征 | 第24-30页 |
| 2.2.2 薄膜的物性测量 | 第30-35页 |
| 第三章 SnO_2基薄膜的结构和物理性能的应力效应研究 | 第35-59页 |
| 3.1 外延纯SnO_2薄膜的制备与物性研究 | 第35-42页 |
| 3.1.1 外延纯SnO_2薄膜的结构 | 第35-40页 |
| 3.1.2 外延纯SnO_2薄膜的光学性质 | 第40-42页 |
| 3.2 外延Sn_(0.94)K_(0.06)O_2薄膜的制备与物性研究 | 第42-58页 |
| 3.2.1 外延Sn_(0.94)K_(0.06)O_2薄膜的结构 | 第42-48页 |
| 3.2.2 外延Sn_(0.94)K_(0.06)O_2薄膜的表面形貌 | 第48-49页 |
| 3.2.3 外延Sn_(0.94)K_(0.06)O_2薄膜的成分和价态 | 第49-51页 |
| 3.2.4 外延Sn_(0.94)K_(0.06)O_2薄膜的电学性质 | 第51-52页 |
| 3.2.5 外延Sn_(0.94)K_(0.06)O_2薄膜的光学性质 | 第52-55页 |
| 3.2.6 外延Sn_(0.94)K_(0.06)O_2薄膜的磁学性质 | 第55-57页 |
| 3.2.7 两种应力调控方法的比较：改变薄膜厚度与施加缓冲层 | 第57-58页 |
| 3.3 本章总结 | 第58-59页 |
| 第四章 Al掺杂SnO_2薄膜的制备与物性研究 | 第59-69页 |
| 4.1 外延Al掺杂SnO_2薄膜的结构 | 第59-61页 |
| 4.2 外延Al掺杂SnO_2薄膜的光学性质 | 第61页 |
| 4.3 外延Al掺杂SnO_2薄膜的磁学性质 | 第61-65页 |
| 4.4 外延Al掺杂SnO_2薄膜的磁学性质 | 第65-68页 |
| 4.5 外延Al掺杂SnO_2薄膜的铁磁性机制 | 第68页 |
| 4.6 本章总结 | 第68-69页 |
| 第五章 结论 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-77页 |
| 攻读硕士学位期间已发表的论文 | 第77-78页 |
| 致谢 | 第78-79页 |
