| 致谢 | 第7-8页 |
| 摘要 | 第8-9页 |
| abstract | 第9-10页 |
| 第一章 绪论 | 第15-24页 |
| 1.1 半导体的能带介绍 | 第15-16页 |
| 1.2 半导体材料的光电性能 | 第16-19页 |
| 1.2.1 半导体的光吸收 | 第16-17页 |
| 1.2.2 半导体的光生伏特效应 | 第17-18页 |
| 1.2.3 半导体发光 | 第18-19页 |
| 1.3 半导体材料的应用 | 第19-20页 |
| 1.4 半导体光探测器 | 第20-21页 |
| 1.4.1 半导体光探测器的基本介绍 | 第20页 |
| 1.4.2 半导体光探测器的发展历程 | 第20-21页 |
| 1.5 研究背景及意义 | 第21页 |
| 1.6 研究内容 | 第21-22页 |
| 1.7 本文创新点 | 第22-24页 |
| 第二章 实验基本原理及实验准备 | 第24-29页 |
| 2.1 实验准备 | 第24-25页 |
| 2.1.1 实验制备石墨烯/半导体薄膜异质结光探测器工作原理 | 第24页 |
| 2.1.2 实验制备石墨烯/Zn_xCd_(1-x)S薄膜异质结光探测器原理 | 第24-25页 |
| 2.2 主要实验设备、原料和实验方法 | 第25-28页 |
| 2.2.1 主要实验设备 | 第25-26页 |
| 2.2.2 主要测试方法 | 第26-27页 |
| 2.2.3 实验原料 | 第27-28页 |
| 2.3 本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 高性能且可重复的石墨烯/半导体薄膜异质结光探测器的制备及性能测试 | 第29-45页 |
| 3.1 引言 | 第29页 |
| 3.2 石墨烯/ZnS薄膜异质结光探测器器件制备 | 第29-31页 |
| 3.2.1 ZnS薄膜的制备 | 第30页 |
| 3.2.2 单层石墨烯的生长 | 第30页 |
| 3.2.3 石墨烯与ZnS薄膜的复合过程 | 第30-31页 |
| 3.3 实验结果与分析 | 第31-43页 |
| 3.3.1 ZnS薄膜与石墨烯复合效果的证明 | 第31-32页 |
| 3.3.2 ZnS薄膜厚度对光生电流的影响 | 第32页 |
| 3.3.3 石墨烯/ZnS膜的物性表征 | 第32-34页 |
| 3.3.4 石墨烯/ZnS膜异质结光探测器的响应范围 | 第34页 |
| 3.3.5 石墨烯/ZnS膜异质结光探测器的光生电流和灵敏度 | 第34-35页 |
| 3.3.6 光照功率对石墨烯/ZnS膜异质结光探测器灵敏度的影响 | 第35-36页 |
| 3.3.7 石墨烯/ZnS膜异质结光探测器的可重复性测试 | 第36-39页 |
| 3.3.8 石墨烯/ZnSe膜和石墨烯/CdSe膜异质结光探测器的光探测性能研究 | 第39-42页 |
| 3.3.9 实验制备的石墨烯/半导体薄膜异质结光探测器的性能总结 | 第42-43页 |
| 3.4 本章小结 | 第43-45页 |
| 第四章 波长可调的石墨烯/Zn_xCd_(1-x)S合金薄膜异质结光探测器的制备及性能测试 | 第45-65页 |
| 4.1 引言 | 第45页 |
| 4.2 石墨烯/Zn_xCd_(1-x)S合金薄膜异质结光探测器的制备 | 第45-46页 |
| 4.2.1 Zn_xCd_(1-x)S合金薄膜的制备 | 第45页 |
| 4.2.2 单层石墨烯的生长 | 第45-46页 |
| 4.2.3 石墨烯与Zn_xCd_(1-x)S合金薄膜的复合过程 | 第46页 |
| 4.3 实验结果与分析 | 第46-63页 |
| 4.3.1 Zn_xCd_(1-x)S合金薄膜的成分组成 | 第46-49页 |
| 4.3.2 Zn_xCd_(1-x)S合金薄膜的TEM表征 | 第49-50页 |
| 4.3.3 Zn_xCd_(1-x)S合金薄膜的XRD表征 | 第50-51页 |
| 4.3.4 Zn_xCd_(1-x)S合金薄膜的带隙 | 第51-54页 |
| 4.3.5 石墨烯/Zn_xCd_(1-x)S合金薄膜异质结光探测器的光探测性能 | 第54-63页 |
| 4.4 本章小结 | 第63-65页 |
| 第五章 总结 | 第65页 |
| 展望 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-73页 |
| 攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况 | 第73-75页 |
