IGBT功率模块的失效研究与键合线状态监测
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 课题背景及研究意义 | 第10-12页 |
| 1.1.1 课题研究背景 | 第10-11页 |
| 1.1.2 课题研究意义 | 第11-12页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第12-15页 |
| 1.2.1 IGBT失效机理研究现状 | 第12页 |
| 1.2.2 IGBT故障诊断研究现状 | 第12-15页 |
| 1.3 本文研究内容及章节安排 | 第15-17页 |
| 第二章 典型IGBT功率模块结构及失效分析 | 第17-25页 |
| 2.1 IGBT的基本结构 | 第17-20页 |
| 2.1.1 外部结构 | 第17-18页 |
| 2.1.2 内部结构 | 第18-20页 |
| 2.2 IGBT功率模块失效分析 | 第20-24页 |
| 2.2.1 芯片级失效 | 第20-21页 |
| 2.2.2 封装级失效 | 第21-24页 |
| 2.3 本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 IGBT键合线故障下的温度特性研究 | 第25-36页 |
| 3.1 IGBT温度相关理论 | 第25-28页 |
| 3.1.1 功率损耗 | 第25-27页 |
| 3.1.2 热阻抗分析 | 第27-28页 |
| 3.2 IGBT测温方法分析 | 第28页 |
| 3.3 实验设计 | 第28-30页 |
| 3.4 实验结果及分析 | 第30-34页 |
| 3.4.1 芯片上表面温场分布 | 第30-32页 |
| 3.4.2 底板温度变化 | 第32-33页 |
| 3.4.3 温度与键合线脱落根数关系 | 第33-34页 |
| 3.5 本章小结 | 第34-36页 |
| 第四章IGBT功率模块键合线的状态监测 | 第36-50页 |
| 4.1 键合线状态监测方法分析 | 第37-39页 |
| 4.1.1 基于仿真模型的状态监测 | 第37页 |
| 4.1.2 基于传感器的状态监测 | 第37-38页 |
| 4.1.3 基于器件端部外特性的状态监测 | 第38-39页 |
| 4.2 键合线故障对门极寄生电容的影响 | 第39-42页 |
| 4.2.1 门极-射极的极间电容 | 第40-41页 |
| 4.2.2 门极-集电极的极间电容 | 第41-42页 |
| 4.3 键合线故障对门极电压的影响 | 第42-47页 |
| 4.3.1 门极电压与寄生电容的关系 | 第42-43页 |
| 4.3.2 结温对门极电压影响 | 第43-45页 |
| 4.3.3 门极电压与键合线状态的关系 | 第45-47页 |
| 4.4 键合线状态监测方案 | 第47-49页 |
| 4.5 本章小结 | 第49-50页 |
| 第五章 总结与展望 | 第50-52页 |
| 5.1 全文工作总结 | 第50-51页 |
| 5.1.1 工作内容 | 第50-51页 |
| 5.1.2 创新点说明 | 第51页 |
| 5.2 后续工作展望 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-56页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
