| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-27页 |
| 1.2 分子电子学 | 第11-15页 |
| 1.2.1 分子整流器 | 第12页 |
| 1.2.2 分子开关 | 第12-13页 |
| 1.2.3 分子晶体管 | 第13-14页 |
| 1.2.4 分子导线 | 第14-15页 |
| 1.3 分子器件的实验研究方法 | 第15-19页 |
| 1.3.1 机械可控断裂分子结 | 第16-17页 |
| 1.3.2 扫描隧道显微镜断裂分子结 | 第17-19页 |
| 1.4 影响单分子电导的因素 | 第19-20页 |
| 1.4.1 分子的共轭程度 | 第19页 |
| 1.4.2 分子的长度 | 第19页 |
| 1.4.3 分子的扭转角 | 第19-20页 |
| 1.5 有机硅分子器件的电学性质研究现状 | 第20-25页 |
| 1.5.1 硅材料作为电子材料的背景 | 第20-21页 |
| 1.5.2 有机硅分子器件 | 第21-25页 |
| 1.6 本论文的研究内容及目的 | 第25-27页 |
| 第二章 五元环硅烷的合成与表征 | 第27-37页 |
| 2.1 引言 | 第27页 |
| 2.2 实验部分 | 第27-36页 |
| 2.2.1 实验试剂 | 第27-28页 |
| 2.2.2 目标产物及中间体的合成 | 第28-35页 |
| 2.2.3 晶体结构表征 | 第35-36页 |
| 2.3 本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 五元环硅烷单分子导电研究 | 第37-51页 |
| 3.1 引言 | 第37页 |
| 3.2 实验方法 | 第37-38页 |
| 3.3 STM-BJ测试结果 | 第38-45页 |
| 3.3.1 Cis-Si5 电导分析 | 第38页 |
| 3.3.2 Trans-Si5 电导分析 | 第38-39页 |
| 3.3.3 Trans-Si5 与Cis-Si5 对比 | 第39-40页 |
| 3.3.4 Cis-Si5TSi电导分析 | 第40-41页 |
| 3.3.5 Trans-Si5TSi电导分析 | 第41-42页 |
| 3.3.6 Trans-Si5TSi2 电导分析 | 第42-43页 |
| 3.3.7 Trans-Si5TSi3 电导分析 | 第43-44页 |
| 3.3.8 Trans-Si系列随链长变化规律 | 第44-45页 |
| 3.4 DFT计算 | 第45-50页 |
| 3.4.1 环戊硅烷构象 | 第45-46页 |
| 3.4.2 Trans-Si5 中电子传递 | 第46-48页 |
| 3.4.3 增长环外硅链体系 | 第48-50页 |
| 3.5 本章小结 | 第50-51页 |
| 第四章 四元环硅烷的合成 | 第51-60页 |
| 4.1 引言 | 第51页 |
| 4.2 实验部分 | 第51-59页 |
| 4.2.1 实验试剂 | 第51-52页 |
| 4.2.2 初期合成路线 | 第52-54页 |
| 4.2.3 改进合成路线 | 第54-56页 |
| 4.2.4 探索新合成路线 | 第56-59页 |
| 4.3 本章小结 | 第59-60页 |
| 总结与展望 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 附录 | 第65-78页 |
| 致谢 | 第78页 |