| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 术语及符号说明 | 第8-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 红外技术概论 | 第9-11页 |
| 1.2 黑体辐射 | 第11-12页 |
| 1.3 大气窗口 | 第12-13页 |
| 1.4 红外探测器 | 第13-15页 |
| 1.5 InAsSb材料 | 第15-16页 |
| 1.6 InAs/InAsSb超晶格 | 第16-19页 |
| 第2章 实验原理及技术概述 | 第19-32页 |
| 2.1 材料生长—分子束外延生长 | 第19-23页 |
| 2.1.1 分子束外延 | 第19-20页 |
| 2.1.2 分子束外延设备 | 第20-23页 |
| 2.2 材料性能分析与表征方法 | 第23-28页 |
| 2.2.1 原子力显微镜 | 第24-25页 |
| 2.2.2 高分辨X射线双晶衍射 | 第25-28页 |
| 2.3 单元探测器性能的表征 | 第28-32页 |
| 2.3.1 单元探测器的暗电流（ I-V特性测试） | 第28-29页 |
| 2.3.2 光谱响应测试 | 第29-30页 |
| 2.3.3 黑体响应测试 | 第30-32页 |
| 第3章 低温GaSb薄膜生长 | 第32-40页 |
| 3.1 低温GaSb薄膜制备 | 第33-39页 |
| 3.1.1 实验 | 第33-34页 |
| 3.1.2 结果与讨论 | 第34-39页 |
| 3.2 本章小结 | 第39-40页 |
| 第4章 InAsSb及InAs/InAsSb超晶格生长 | 第40-48页 |
| 4.1 InAsSb薄膜制备 | 第40-43页 |
| 4.1.1 实验 | 第40-41页 |
| 4.1.2 结果与讨论 | 第41-43页 |
| 4.2 InAs/InAsSb超晶格制备 | 第43-46页 |
| 4.2.1 实验 | 第43页 |
| 4.2.2 结果与讨论 | 第43-46页 |
| 4.3 本章小结 | 第46-48页 |
| 第5章 单元器件的制备与性能表征 | 第48-61页 |
| 5.1 器件结构制备 | 第48-50页 |
| 5.2 工艺流程 | 第50-52页 |
| 5.3 探测器性能测试及分析 | 第52-60页 |
| 5.3.1 InAsSb探测器 | 第52-58页 |
| 5.3.2 InAs/InAsSb超晶格探测器 | 第58-60页 |
| 5.4 本章小结 | 第60-61页 |
| 第6章 结论 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文和研究成果 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68页 |