| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 磁电耦合原理及其发展 | 第10-16页 |
| 1.2.1 磁电耦合的原理 | 第10-14页 |
| 1.2.2 磁电耦合的发展 | 第14-16页 |
| 1.3 FeGa材料介绍 | 第16-17页 |
| 1.4 研究现状 | 第17-19页 |
| 1.5 本论文主要研究内容 | 第19-20页 |
| 第二章 薄膜的制备与表征方法 | 第20-28页 |
| 2.1 薄膜的制备方法 | 第20-22页 |
| 2.1.1 离子束溅射原理 | 第20-21页 |
| 2.1.2 溅射过程与工艺条件 | 第21-22页 |
| 2.2 薄膜的表征方法 | 第22-28页 |
| 2.2.1 X射线衍射仪（XRD） | 第22-23页 |
| 2.2.2 能谱分析仪（EDS）和场发射扫描电子显微镜（FESEM) | 第23-24页 |
| 2.2.3 振动样品磁强计（VSM） | 第24-25页 |
| 2.2.4 台阶仪 | 第25-26页 |
| 2.2.5 精密阻抗分析仪 | 第26-27页 |
| 2.2.6 铁电测试系统 | 第27-28页 |
| 第三章 离子束溅射制备FeGa薄膜及其磁性调控 | 第28-38页 |
| 3.1 FeGa薄膜的制备及组分研究 | 第28-31页 |
| 3.1.1 样品的制备和表征 | 第28页 |
| 3.1.2 实验结果与讨论 | 第28-31页 |
| 3.2 溅射参数对FeGa薄膜性能的影响 | 第31-34页 |
| 3.2.1 溅射时间的影响 | 第31-32页 |
| 3.2.2 溅射气压的影响 | 第32-33页 |
| 3.2.3 衬底和靶材之间距离的影响 | 第33-34页 |
| 3.3 掺杂Si或FeCuNbSiB优化FeGa薄膜的软磁性能 | 第34-37页 |
| 3.3.1 掺杂FeCuNbSiB优化软磁性能 | 第35-36页 |
| 3.3.2 掺杂Si优化软磁性能 | 第36-37页 |
| 3.4 本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章 FeGa薄膜各向异性的诱导及性能研究 | 第38-43页 |
| 4.1 斜溅射法制备FeGa薄膜 | 第38-41页 |
| 4.1.1 不同倾斜角溅射Fe Ga薄膜对材料磁性的影响 | 第38-40页 |
| 4.1.2 溅射过程中衬底倾斜 | 第40-41页 |
| 4.2 本章小结 | 第41-43页 |
| 第五章 BNTO-BTO衬底上生长FeGa薄膜及其磁电耦合性能研究 | 第43-49页 |
| 5.1 压电陶瓷介绍 | 第43-44页 |
| 5.2 BNTO-BTO陶瓷上沉积Fe Ga薄膜 | 第44-47页 |
| 5.2.1 晶体结构和电滞回线结果 | 第44-45页 |
| 5.2.2 静态磁性结果 | 第45-47页 |
| 5.3 BNTO-BTO-STO陶瓷上生长FeGa薄膜 | 第47-48页 |
| 5.3.1 电滞回线结果 | 第47页 |
| 5.3.2 静态磁性结果 | 第47-48页 |
| 5.4 本章小节 | 第48-49页 |
| 第六章 FeCuNbSiB非晶衬底上生长FeGa薄膜及其巨磁阻抗效应（GMI）研究 | 第49-56页 |
| 6.1 巨磁阻抗效应简介 | 第49-51页 |
| 6.2 Fe_(75.5)Si_(13.5)B_7Nb_3Cu_1 上生长FeGa薄膜的结构和磁性研究 | 第51-53页 |
| 6.2.1 FeCuNbSiB的结构和磁性研究 | 第51页 |
| 6.2.2 FeCuNbSiB上生长FeGa薄膜的结构和磁性研究 | 第51-53页 |
| 6.3 单面或双面溅射不同厚度FeGa薄膜的巨磁阻抗效应 | 第53-54页 |
| 6.4 Fe基非晶带/FeGa薄膜随频率变化的巨磁阻抗效应 | 第54-55页 |
| 6.5 本章小结 | 第55-56页 |
| 第七章 总结和展望 | 第56-58页 |
| 7.1 总结 | 第56页 |
| 7.2 展望 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 攻读硕士期间主要的研究成果 | 第65页 |
