| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-21页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第8-9页 |
| 1.2 太阳能电池 | 第9-11页 |
| 1.2.1 太阳光谱 | 第9-11页 |
| 1.2.2 太阳能电池的工作原理 | 第11页 |
| 1.3 太阳能电池的分类 | 第11-15页 |
| 1.3.1 硅太阳能电池 | 第12-13页 |
| 1.3.2 化合物半导体太阳能电池 | 第13-14页 |
| 1.3.3 有机聚合物太阳电池 | 第14页 |
| 1.3.4 染料敏化太阳能电池 | 第14-15页 |
| 1.4 钙钛矿太阳能电池的发展历程及存在的问题 | 第15-20页 |
| 1.4.1 敏化钙钛矿太阳能电池 | 第15-16页 |
| 1.4.2 敏化钙钛矿太阳能电池中的支撑层材料 | 第16-17页 |
| 1.4.3 平面异质节结构的钙钛矿太阳能电池 | 第17页 |
| 1.4.4 反型结构的钙钛矿太阳能电池 | 第17-18页 |
| 1.4.5 钙钛矿中载流子的传输特性 | 第18页 |
| 1.4.6 钙钛矿太阳能电池的稳定性 | 第18-19页 |
| 1.4.7 钙钛矿太阳能电池的迟滞效应 | 第19-20页 |
| 1.5 本文主要的研究内容 | 第20-21页 |
| 第二章 有机金属卤化物钙钛矿CH_3NH_3PbI_3薄膜的制备 | 第21-32页 |
| 2.1 钙钛矿材料 | 第21-24页 |
| 2.2 一步法旋涂制备MAPbI_3薄膜 | 第24-28页 |
| 2.2.1 碘化甲铵的制备 | 第24页 |
| 2.2.2 TiO_2致密层的制备 | 第24-25页 |
| 2.2.3 MAPbI_3薄膜的制备 | 第25-28页 |
| 2.3 两步法旋涂制备MAPbI_3薄膜 | 第28-31页 |
| 2.4 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 CH_3NH_3PbI_(3-x)Cl_x薄膜的制备 | 第32-42页 |
| 3.1 CH_3NH_3PbI_(3-x)Cl_x薄膜中Cl的作用 | 第32-33页 |
| 3.2 实验过程 | 第33页 |
| 3.3 前驱体溶液浓度的影响 | 第33-35页 |
| 3.4 衬底对形貌的影响 | 第35-39页 |
| 3.4.1 TiO_2和PEDOT:PSS的修饰作用 | 第36-37页 |
| 3.4.2 TiO_2厚度的影响 | 第37-39页 |
| 3.5 退火温度及时间的影响 | 第39-41页 |
| 3.6 本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 CVD方法生长GaN纳米线阵列 | 第42-54页 |
| 4.1 GaN材料的发展历程 | 第42-43页 |
| 4.2 GaN材料的特性 | 第43-44页 |
| 4.2.1 物理性质 | 第43-44页 |
| 4.2.2 化学性质 | 第44页 |
| 4.2.3 电学性质 | 第44页 |
| 4.3 GaN纳米线的研究现状 | 第44-46页 |
| 4.3.1 化学气相沉积 | 第44-45页 |
| 4.3.2 激光烧蚀法 | 第45页 |
| 4.3.3 有机金属化学气相沉积 | 第45-46页 |
| 4.4 CVD合成GaN纳米线 | 第46-52页 |
| 4.4.1 CVD实验设备 | 第46页 |
| 4.4.2 实验过程 | 第46-47页 |
| 4.4.3 催化剂的选择 | 第47-50页 |
| 4.4.4 特殊形貌的GaN纳米线 | 第50-51页 |
| 4.4.5 GaN纳米线阵列的制备 | 第51-52页 |
| 4.5 本章小结 | 第52-54页 |
| 第五章 全文总结 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-61页 |
| 致谢 | 第61页 |
