| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-21页 |
| 1.1 紫外探测器研究的背景和意义 | 第10-11页 |
| 1.2 MgZnO合金材料的基本性质 | 第11-13页 |
| 1.3 高镁组分MgZnO合金材料的高阻问题 | 第13-15页 |
| 1.4 Ga掺杂对MgZnO合金材料的影响 | 第15页 |
| 1.5 国内外研究现状 | 第15-19页 |
| 1.5.1 MgZnO材料国内研究现状 | 第15-18页 |
| 1.5.2 MgZnO材料国外研究现状 | 第18-19页 |
| 1.6 本论文研究目的和主要研究内容 | 第19-21页 |
| 第2章 MgZnO:Ga薄膜的制备技术和表征方法 | 第21-30页 |
| 2.1 实验方法与实验设备 | 第21-23页 |
| 2.1.1 磁控溅射装置 | 第21-22页 |
| 2.1.2 热退火设备 | 第22-23页 |
| 2.1.3 实验原料 | 第23页 |
| 2.2 薄膜质量与性能表征 | 第23-28页 |
| 2.2.1 薄膜结构与成分表征 | 第23-25页 |
| 2.2.2 薄膜的表面形貌表征 | 第25-26页 |
| 2.2.3 薄膜的电学性能表征 | 第26-27页 |
| 2.2.4 薄膜的光学性能表征 | 第27-28页 |
| 2.3 器件的光电性能表征 | 第28-30页 |
| 2.3.1 电化学工作站 | 第28页 |
| 2.3.2 光电响应测试 | 第28-30页 |
| 第3章 MgZnO:Ga薄膜的制备及性能研究 | 第30-52页 |
| 3.1 溅射生长MgZnO:Ga薄膜工艺参数的研究 | 第30-39页 |
| 3.1.1 氧氩比对MgZnO:Ga薄膜的影响 | 第30-33页 |
| 3.1.2 溅射压强对MgZnO:Ga薄膜的影响 | 第33-36页 |
| 3.1.3 溅射功率对MgZnO:Ga薄膜的影响 | 第36-39页 |
| 3.2 退火温度对MgZnO:Ga薄膜的影响 | 第39-46页 |
| 3.2.1 退火温度对MgZnO:Ga薄膜结构成分的影响 | 第39-40页 |
| 3.2.2 退火温度对MgZnO:Ga薄膜表面形貌的影响 | 第40-42页 |
| 3.2.3 退火温度对MgZnO:Ga薄膜光学性能的影响 | 第42-43页 |
| 3.2.4 退火温度对MgZnO:Ga薄膜电学性能的影响 | 第43-46页 |
| 3.3 Ga掺杂对MgZnO薄膜的影响 | 第46-50页 |
| 3.3.1 Ga掺杂对MgZnO薄膜结构成分的影响 | 第46-47页 |
| 3.3.2 Ga掺杂对MgZnO薄膜光学性能的影响 | 第47-50页 |
| 3.3.3 Ga掺杂对MgZnO薄膜电学性能的影响 | 第50页 |
| 3.4 本章小结 | 第50-52页 |
| 第4章 MgZnO:Ga基光电导结构材料的制备及性能研究 | 第52-64页 |
| 4.1 缓冲层对MgZnO:Ga薄膜材料的影响 | 第52-57页 |
| 4.1.1 ZnO缓冲层的影响分析 | 第52-53页 |
| 4.1.2 CuO缓冲层的影响分析 | 第53-57页 |
| 4.2 光电导型紫外探测器制备及光电性能研究 | 第57-63页 |
| 4.2.1 器件结构及叉指电极设计 | 第57-59页 |
| 4.2.2 光电导型器件的光电性能研究 | 第59-63页 |
| 4.2.2.1 I-V特性测试分析 | 第59-60页 |
| 4.2.2.2 光电响应谱测试分析 | 第60-63页 |
| 4.3 本章小结 | 第63-64页 |
| 第5章 MgZnO:Ga基p-n结薄膜材料的制备及性能研究 | 第64-71页 |
| 5.1 n-MgZnO:Ga/p-CuO异质结的制备 | 第64-66页 |
| 5.1.1 P型CuO薄膜的制备 | 第64-65页 |
| 5.1.2 n-MgZn O:Ga/p-CuO异质结的制备 | 第65-66页 |
| 5.2 n-MgZnO:Ga/p-CuO异质结的整流特性 | 第66-67页 |
| 5.3 氮掺杂制备P型MgZnO:Ga薄膜的研究 | 第67-70页 |
| 5.4 本章小结 | 第70-71页 |
| 结论 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-78页 |
| 致谢 | 第78页 |
