摘要 | 第5-7页 |
Abstract | 第7-8页 |
目录 | 第9-12页 |
第1章 绪论 | 第12-36页 |
1.1 课题的研究背景及意义 | 第12-13页 |
1.2 表面等离激元的基本原理 | 第13-26页 |
1.2.1 表面等离激元的基本性质 | 第13-21页 |
1.2.2 表面等离激元的激发方式 | 第21-26页 |
1.3 表面等离激元的三个研究热点 | 第26-33页 |
1.3.1 表面等离激元特性的透射电子显微镜表征 | 第26-28页 |
1.3.2 表面等离激元在超材料完美吸收体上的应用 | 第28-31页 |
1.3.3 表面等离激元在纳米光刻上的应用 | 第31-33页 |
1.4 本论文的研究内容和论文结构安排 | 第33-36页 |
第2章 透射电子显微镜表征表面等离激元特性的基本原理 | 第36-50页 |
2.1 引言 | 第36-38页 |
2.2 基本原理 | 第38-44页 |
2.2.1 扫描透射电子显微镜的基本原理 | 第38-41页 |
2.2.2 电子能量损失谱分析原理及谱仪构造 | 第41-43页 |
2.2.3 能量过滤透射电子成像的分析方法 | 第43-44页 |
2.3 数值模拟方法 | 第44-48页 |
2.3.1 有限元与多物理场耦合分析软件Comsol Multiphysics | 第44-46页 |
2.3.2 离散偶极近似的方法 | 第46-48页 |
2.4 本章小结 | 第48-50页 |
第3章 耦合开口谐振环的表面等离激元杂化 | 第50-74页 |
3.1 引言 | 第50-51页 |
3.2 结构模型 | 第51-52页 |
3.3 样品制备—电子束光刻技术 | 第52-53页 |
3.4 数值模拟与实验结果分析 | 第53-73页 |
3.4.1 单个开口谐振环S的表面等离激元特性 | 第54-58页 |
3.4.2 0°旋转的耦合开口谐振环A的表面等离激元特性 | 第58-61页 |
3.4.3 180°旋转的耦合开口谐振环B的表面等离激元特性 | 第61-64页 |
3.4.4 90°旋转的耦合开口谐振环C的表面等离激元特性 | 第64-67页 |
3.4.5 耦合开口谐振环的表面等离激元杂化图 | 第67-73页 |
3.5 本章小结 | 第73-74页 |
第4章 基于表面等离激元的吸收体吸收特性 | 第74-112页 |
4.1 引言 | 第74-75页 |
4.2 数值模拟方法—时域有限差分软件FDTD Solutions | 第75-81页 |
4.3 纳米金字塔阵列结构的超材料太阳光谱吸收体吸收特性 | 第81-101页 |
4.3.1 结构模型及其吸波效果 | 第83-84页 |
4.3.2 有效媒质模型 | 第84-86页 |
4.3.3 等效阻抗 | 第86-90页 |
4.3.4 吸光机理分析 | 第90-97页 |
4.3.5 入射光各参数对吸收效果的影响 | 第97-98页 |
4.3.6 超材料吸收体的结构参数对吸收效果的影响 | 第98-101页 |
4.4 金字塔阵列结构的超材料红外光子吸收体吸收特性 | 第101-105页 |
4.5 基于表面等离激元复合谐振腔的红外光子吸收体吸收特性 | 第105-110页 |
4.5.1 结构模型及吸波效果 | 第106-107页 |
4.5.2 吸光机理分析 | 第107-110页 |
4.6 本章小结 | 第110-112页 |
第5章 表面等离激元的全息纳米光刻技术 | 第112-125页 |
5.1 引言 | 第112页 |
5.2 解析理论 | 第112-118页 |
5.2.1 基本原理与基本装置 | 第112-114页 |
5.2.2 干涉光刻的电场分布 | 第114-116页 |
5.2.3 表面等离激元波全息干涉形成五个二维布拉维点阵图 | 第116-118页 |
5.3 数值模拟 | 第118-124页 |
5.3.1 入射光的空间分布对干涉图的影响 | 第119-121页 |
5.3.2 入射光的相对位相分布对干涉图的影响 | 第121-124页 |
5.4 本章小结 | 第124-125页 |
第6章 总结与展望 | 第125-128页 |
6.1 本论文完成工作总结 | 第125-126页 |
6.2 本论文的主要创新点 | 第126页 |
6.3 后续工作及展望 | 第126-128页 |
参考文献 | 第128-138页 |
在学期间学术成果情况 | 第138-139页 |
指导教师及作者简介 | 第139-140页 |
致谢 | 第140页 |