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铁电与铁基超导薄膜的MBE生长与STM研究

摘要第3-4页
abstract第4-5页
第1章 引言第10-21页
    1.1 量子界面效应第10-13页
        1.1.1 界面超导第10-12页
        1.1.2 界面铁电增强第12-13页
    1.2 二维材料中的各种量子霍尔态第13-18页
        1.2.1 量子霍尔效应第14-15页
        1.2.2 量子自旋霍尔效应第15-17页
        1.2.3 量子反常霍尔效应第17-18页
    1.3 一维材料中的电子强关联效应第18-21页
第2章 实验仪器和原理第21-43页
    2.1 扫描隧道显微镜第21-28页
        2.1.1 STM的基本原理第21-23页
        2.1.2 STM的结构第23-26页
        2.1.3 扫描隧道谱第26-27页
        2.1.4 STM针尖的制备第27-28页
    2.2 稀释制冷技术第28-34页
        2.2.1 稀释制冷的基本原理第28-30页
        2.2.2 稀释制冷机的结构第30-32页
        2.2.3 稀释制冷机的操作流程第32-34页
    2.3 超高真空技术第34-38页
    2.4 超导强磁场技术第38-39页
    2.5 分子束外延技术第39-43页
第3章 无应力原子级厚度Sn Te铁电薄膜的生长与表征第43-77页
    3.1 铁电薄膜研究背景第43-55页
        3.1.1 关于铁电性的基本概念第43-47页
        3.1.2 原子级厚度的铁电薄膜:理论研究第47-49页
        3.1.3 原子级厚度的铁电薄膜:实验研究第49-52页
        3.1.4 铁电随机存储器第52-55页
    3.2 Sn Te体材料的铁电和拓扑性质第55-57页
    3.3 原子级厚度Sn Te薄膜的van der Waals外延生长第57-61页
    3.4 对单层Sn Te薄膜铁电性的表征第61-67页
        3.4.1 单层Sn Te薄膜的条状畴结构与晶格畸变第62-63页
        3.4.2 自发极化诱导的能带弯曲第63-65页
        3.4.3 各种类型的畴界第65-67页
        3.4.4 利用偏压脉冲实现自发极化反转第67页
    3.5 原子级厚度Sn Te薄膜中的铁电TC增强第67-72页
        3.5.1 利用布拉格峰的劈裂推导畸变角第68-69页
        3.5.2 Sn Te薄膜的室温铁电性第69-70页
        3.5.3 对于导致TC变化的物理机制的初步讨论第70-72页
    3.6 面内极化的铁电薄膜在存储器件中的应用第72-76页
        3.6.1 器件原理第72-74页
        3.6.2 利用扫描隧道显微镜模拟测量器件开关比第74-76页
    3.7 本章小结第76-77页
第4章 单层Pb1 ? xSnxTe薄膜二维能带谷相关的自旋劈裂第77-90页
    4.1 研究背景第77-81页
        4.1.1 有强自旋 -轨道耦合的二维中心对称破缺系统第78-79页
        4.1.2 自旋霍尔效应与谷霍尔效应第79-80页
        4.1.3 对单层Mo S2及类似材料的实验验证第80-81页
    4.2 铁电Sn Te薄膜能带自旋劈裂的对称性分析第81-84页
    4.3 单层Pb1?x SnxTe薄膜中组分调控的顺电 -铁电相变第84-85页
    4.4 单层铁电Pb0.5Sn0.5Te薄膜与顺电Pb0.75Sn0.25Te薄膜散射波矢的对比第85-88页
    4.5 初步的第一性原理计算验证第88-89页
    4.6 本章小结第89-90页
第5章 铁电Sn Te薄膜边缘态谷相关的自旋劈裂第90-99页
    5.1 研究背景第90-92页
    5.2 能带弯曲诱导的一维边缘态第92-94页
    5.3 有能带选择性的一维准粒子散射和能带的自旋劈裂第94-98页
    5.4 本章小结第98-99页
第6章 超导Li Fe As薄膜的生长与表征第99-109页
    6.1 研究背景第99-101页
    6.2 Li Fe As薄膜的生长方法与生长机制研究第101-104页
    6.3 薄膜形貌和超导能隙随层厚的变化第104-107页
    6.4 输运测量第107页
    6.5 本章小结第107-109页
第7章 结论第109-111页
参考文献第111-125页
致谢第125-127页
个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果第127-128页

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