摘要 | 第3-4页 |
abstract | 第4-5页 |
第1章 引言 | 第10-21页 |
1.1 量子界面效应 | 第10-13页 |
1.1.1 界面超导 | 第10-12页 |
1.1.2 界面铁电增强 | 第12-13页 |
1.2 二维材料中的各种量子霍尔态 | 第13-18页 |
1.2.1 量子霍尔效应 | 第14-15页 |
1.2.2 量子自旋霍尔效应 | 第15-17页 |
1.2.3 量子反常霍尔效应 | 第17-18页 |
1.3 一维材料中的电子强关联效应 | 第18-21页 |
第2章 实验仪器和原理 | 第21-43页 |
2.1 扫描隧道显微镜 | 第21-28页 |
2.1.1 STM的基本原理 | 第21-23页 |
2.1.2 STM的结构 | 第23-26页 |
2.1.3 扫描隧道谱 | 第26-27页 |
2.1.4 STM针尖的制备 | 第27-28页 |
2.2 稀释制冷技术 | 第28-34页 |
2.2.1 稀释制冷的基本原理 | 第28-30页 |
2.2.2 稀释制冷机的结构 | 第30-32页 |
2.2.3 稀释制冷机的操作流程 | 第32-34页 |
2.3 超高真空技术 | 第34-38页 |
2.4 超导强磁场技术 | 第38-39页 |
2.5 分子束外延技术 | 第39-43页 |
第3章 无应力原子级厚度Sn Te铁电薄膜的生长与表征 | 第43-77页 |
3.1 铁电薄膜研究背景 | 第43-55页 |
3.1.1 关于铁电性的基本概念 | 第43-47页 |
3.1.2 原子级厚度的铁电薄膜:理论研究 | 第47-49页 |
3.1.3 原子级厚度的铁电薄膜:实验研究 | 第49-52页 |
3.1.4 铁电随机存储器 | 第52-55页 |
3.2 Sn Te体材料的铁电和拓扑性质 | 第55-57页 |
3.3 原子级厚度Sn Te薄膜的van der Waals外延生长 | 第57-61页 |
3.4 对单层Sn Te薄膜铁电性的表征 | 第61-67页 |
3.4.1 单层Sn Te薄膜的条状畴结构与晶格畸变 | 第62-63页 |
3.4.2 自发极化诱导的能带弯曲 | 第63-65页 |
3.4.3 各种类型的畴界 | 第65-67页 |
3.4.4 利用偏压脉冲实现自发极化反转 | 第67页 |
3.5 原子级厚度Sn Te薄膜中的铁电TC增强 | 第67-72页 |
3.5.1 利用布拉格峰的劈裂推导畸变角 | 第68-69页 |
3.5.2 Sn Te薄膜的室温铁电性 | 第69-70页 |
3.5.3 对于导致TC变化的物理机制的初步讨论 | 第70-72页 |
3.6 面内极化的铁电薄膜在存储器件中的应用 | 第72-76页 |
3.6.1 器件原理 | 第72-74页 |
3.6.2 利用扫描隧道显微镜模拟测量器件开关比 | 第74-76页 |
3.7 本章小结 | 第76-77页 |
第4章 单层Pb1 ? xSnxTe薄膜二维能带谷相关的自旋劈裂 | 第77-90页 |
4.1 研究背景 | 第77-81页 |
4.1.1 有强自旋 -轨道耦合的二维中心对称破缺系统 | 第78-79页 |
4.1.2 自旋霍尔效应与谷霍尔效应 | 第79-80页 |
4.1.3 对单层Mo S2及类似材料的实验验证 | 第80-81页 |
4.2 铁电Sn Te薄膜能带自旋劈裂的对称性分析 | 第81-84页 |
4.3 单层Pb1?x SnxTe薄膜中组分调控的顺电 -铁电相变 | 第84-85页 |
4.4 单层铁电Pb0.5Sn0.5Te薄膜与顺电Pb0.75Sn0.25Te薄膜散射波矢的对比 | 第85-88页 |
4.5 初步的第一性原理计算验证 | 第88-89页 |
4.6 本章小结 | 第89-90页 |
第5章 铁电Sn Te薄膜边缘态谷相关的自旋劈裂 | 第90-99页 |
5.1 研究背景 | 第90-92页 |
5.2 能带弯曲诱导的一维边缘态 | 第92-94页 |
5.3 有能带选择性的一维准粒子散射和能带的自旋劈裂 | 第94-98页 |
5.4 本章小结 | 第98-99页 |
第6章 超导Li Fe As薄膜的生长与表征 | 第99-109页 |
6.1 研究背景 | 第99-101页 |
6.2 Li Fe As薄膜的生长方法与生长机制研究 | 第101-104页 |
6.3 薄膜形貌和超导能隙随层厚的变化 | 第104-107页 |
6.4 输运测量 | 第107页 |
6.5 本章小结 | 第107-109页 |
第7章 结论 | 第109-111页 |
参考文献 | 第111-125页 |
致谢 | 第125-127页 |
个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第127-128页 |