| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-23页 |
| 1.1 从自旋电子学到拓扑绝缘体 | 第11-18页 |
| 1.1.1 自旋电子学 | 第11-12页 |
| 1.1.2 自旋注入 | 第12-14页 |
| 1.1.3 巨磁电阻效应 | 第14-15页 |
| 1.1.4 量子霍尔效应 | 第15-17页 |
| 1.1.5 拓扑绝缘体 | 第17-18页 |
| 1.2 Bi_2Se_3类拓扑绝缘体的研究进展 | 第18-22页 |
| 1.2.1 拓扑绝缘体Bi_2Se_3的制备方法 | 第18-19页 |
| 1.2.2 Bi_2Se_3的掺杂效应 | 第19-20页 |
| 1.2.3 Bi_2Se_3晶体的电输运特性 | 第20-21页 |
| 1.2.4 Bi_2Se_3基异质结 | 第21-22页 |
| 1.3 本文的研究思路及主要内容 | 第22-23页 |
| 第2章 样品的制备及测试手段 | 第23-27页 |
| 2.1 样品制备 | 第23-24页 |
| 2.1.1 Bi_2Se_3掺杂样品的制备过程 | 第23-24页 |
| 2.1.2 Bi_2Se_3与La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3复合结构的制备过程 | 第24页 |
| 2.2 实验测试与表征 | 第24-26页 |
| 2.2.1 X射线衍射仪 | 第24-25页 |
| 2.2.2 激光拉曼光谱仪 | 第25-26页 |
| 2.2.3 扫描电子显微镜 | 第26页 |
| 2.2.4 物性测量系统 | 第26页 |
| 2.3 小结 | 第26-27页 |
| 第3章 过渡元素掺杂Bi_2Se_3的性能研究 | 第27-44页 |
| 3.1 引言 | 第27-28页 |
| 3.2 Cd掺杂Bi_2Se_3的性能研究 | 第28-35页 |
| 3.2.1 Cd掺杂Bi_2Se_3样品的制备 | 第28页 |
| 3.2.2 Cd掺杂Bi_2Se_3样品的结构分析 | 第28-29页 |
| 3.2.3 Cd掺杂Bi_2Se_3样品的微观形貌分析 | 第29-30页 |
| 3.2.4 Cd掺杂Bi_2Se_3样品的电输运特性分析 | 第30-34页 |
| 3.2.5 Cd掺杂Bi_2Se_3总结 | 第34-35页 |
| 3.3 Ir掺杂Bi_2Se_3的性能研究 | 第35-39页 |
| 3.3.1 Ir掺杂Bi_2Se_3样品的制备 | 第35页 |
| 3.3.2 Ir掺杂Bi_2Se_3样品的结构分析 | 第35-36页 |
| 3.3.3 Ir掺杂Bi_2Se_3样品的微观形貌分析 | 第36-37页 |
| 3.3.4 Ir掺杂Bi_2Se_3样品的电输运特性分析 | 第37-38页 |
| 3.3.5 Ir掺杂Bi_2Se_3总结 | 第38-39页 |
| 3.4 Mn掺杂Bi_2Se_3的性能研究 | 第39-42页 |
| 3.5 本章小结 | 第42-44页 |
| 第4章 Bi_2Se_3/La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3复合结构的研究 | 第44-57页 |
| 4.1 引言 | 第44页 |
| 4.2 Bi_2Se_3/LSMO(硅橡胶粘接型)复合结构 | 第44-50页 |
| 4.2.1 硅橡胶粘接型复合样品的制备 | 第44-45页 |
| 4.2.2 样品结构分析 | 第45-46页 |
| 4.2.3 样品电输运特性分析 | 第46-50页 |
| 4.2.4 复合样品的磁输运特性分析 | 第50页 |
| 4.3 Bi_2Se_3/LSMO(环氧树脂粘接型)复合结构 | 第50-53页 |
| 4.3.1 环氧树脂粘接型复合样品的制备 | 第50页 |
| 4.3.2 样品结构分析 | 第50-51页 |
| 4.3.3 样品电输运特性分析 | 第51-53页 |
| 4.4 Bi_2Se_3/LSMO双层膜的复合结构 | 第53-56页 |
| 4.5 小结 | 第56-57页 |
| 结论 | 第57-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-68页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第68-69页 |
