| 摘要 | 第2-3页 |
| abstract | 第3-4页 |
| 1 绪论 | 第7-17页 |
| 1.1 SiO_2薄膜的结构 | 第7-8页 |
| 1.2 SiO_2薄膜的性质 | 第8-9页 |
| 1.3 SiO_2薄膜的应用 | 第9-10页 |
| 1.3.1 纳米领域 | 第9页 |
| 1.3.2 光学领域 | 第9-10页 |
| 1.3.3 其它领域 | 第10页 |
| 1.4 SiO_2薄膜的制备方法 | 第10-15页 |
| 1.4.1 化学气相沉积(CVD) | 第10-11页 |
| 1.4.2 物理气相沉积法（PVD） | 第11-14页 |
| 1.4.3 其它制备方法 | 第14-15页 |
| 1.5 SiO_2薄膜的研究现状 | 第15-16页 |
| 1.5.1 国内研究现状 | 第15-16页 |
| 1.5.2 国外研究现状 | 第16页 |
| 1.6 本文研究的目的及内容 | 第16-17页 |
| 2 薄膜的制备与表征方法 | 第17-25页 |
| 2.1 磁控溅射原理 | 第17-19页 |
| 2.2 射频反应磁控溅射实验装置 | 第19-20页 |
| 2.3 SiO_2薄膜的制备流程 | 第20-21页 |
| 2.3.1 实验准备 | 第20-21页 |
| 2.3.2 实验操作步骤 | 第21页 |
| 2.4 SiO_2薄膜的测试与表征 | 第21-25页 |
| 2.4.1 原子力显微镜（AFM） | 第21-22页 |
| 2.4.2 椭偏仪 | 第22-23页 |
| 2.4.3 台阶仪 | 第23-25页 |
| 3 利用射频反应磁控溅射在Si基片上制备SiO_2薄膜材料 | 第25-37页 |
| 3.1 工作气压对SiO_2薄膜的影响 | 第25-27页 |
| 3.1.1 SiO_2薄膜的沉积速率分析 | 第26-27页 |
| 3.1.2 SiO_2薄膜的折射率分析 | 第27页 |
| 3.2 溅射功率对SiO_2薄膜的影响 | 第27-29页 |
| 3.2.1 SiO_2薄膜的沉积速率分析 | 第28-29页 |
| 3.2.2 SiO_2薄膜的折射率分析 | 第29页 |
| 3.3 氩氧比例对SiO_2薄膜的影响 | 第29-31页 |
| 3.3.1 SiO_2薄膜的沉积速率分析 | 第30-31页 |
| 3.3.2 SiO_2薄膜的折射率分析 | 第31页 |
| 3.4 中频偏压对SiO_2薄膜的影响 | 第31-36页 |
| 3.4.1 SiO_2薄膜的沉积速率分析 | 第32-34页 |
| 3.4.2 SiO_2薄膜的表面形貌分析 | 第34-35页 |
| 3.4.3 SiO_2薄膜的表面粗糙度分析 | 第35页 |
| 3.4.4 SiO_2薄膜的折射率分析 | 第35-36页 |
| 3.5 本章结论 | 第36-37页 |
| 4 利用射频反应磁控溅射在Si基片镀铝表面上制备SiO_2薄膜材料 | 第37-41页 |
| 4.1 SiO_2薄膜的表面形貌分析 | 第38-39页 |
| 4.2 SiO_2薄膜的表面粗糙度分析 | 第39-40页 |
| 4.3 本章结论 | 第40-41页 |
| 结论 | 第41-42页 |
| 参考文献 | 第42-46页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第46-47页 |
| 致谢 | 第47-49页 |