摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
注释表 | 第18-19页 |
第一章 绪论 | 第19-31页 |
1.1 引言 | 第19页 |
1.2 研究进展 | 第19-30页 |
1.2.1 石墨烯的性质和应用 | 第19-21页 |
1.2.2 六方氮化硼的性质、生长制备及表界面性质 | 第21-24页 |
1.2.3 气液流致生电效应 | 第24-28页 |
1.2.4 二维原子晶体材料的亲疏水性 | 第28-30页 |
1.3 本文研究内容 | 第30-31页 |
第二章 二维原子晶体材料的生长表征与性质测试 | 第31-44页 |
2.1 二维原子晶体材料的化学气相沉积与转移 | 第31-34页 |
2.1.1 石墨烯的生长与转移 | 第31-33页 |
2.1.2 六方氮化硼的生长与转移 | 第33-34页 |
2.2 二维原子晶体材料的表征与测试 | 第34-44页 |
2.2.1 扫描电子显微镜 | 第34-36页 |
2.2.2 透射电子显微镜 | 第36页 |
2.2.3 原子力显微镜 | 第36页 |
2.2.4 傅里叶变换红外光谱 | 第36-37页 |
2.2.5 紫外可见吸收光谱 | 第37-38页 |
2.2.6 X射线光电子能谱仪 | 第38-39页 |
2.2.7 接触角测量仪 | 第39-40页 |
2.2.8 拉曼光谱 | 第40-42页 |
2.2.9 电学测试系统 | 第42-43页 |
2.2.10 电子束曝光技术 | 第43-44页 |
第三章 石墨烯和六方氮化硼的生长及涂层性质 | 第44-64页 |
3.1 石墨烯的生长 | 第44-48页 |
3.1.1 研究背景 | 第44-45页 |
3.1.2 结果与讨论 | 第45-47页 |
3.1.3 本节总结 | 第47-48页 |
3.2 六方氮化硼的选择性生长 | 第48-57页 |
3.2.1 研究背景 | 第48-50页 |
3.2.2 结果与讨论 | 第50-55页 |
3.2.2.1 无氧环境下六方氮化硼的生长 | 第50-51页 |
3.2.2.2 有氧环境下六方氮化硼的生长 | 第51-52页 |
3.2.2.3 有氧环境下六方氮化硼的表征 | 第52-54页 |
3.2.2.4 密度泛函理论计算脱氢能垒 | 第54-55页 |
3.2.3 本节总结 | 第55-57页 |
3.3 六方氮化硼绝缘涂层的抗氧化和抗摩擦性 | 第57-64页 |
3.3.1 研究背景 | 第57-58页 |
3.3.2 结果与讨论 | 第58-62页 |
3.3.3 本节总结 | 第62-64页 |
第四章 六方氮化硼和石墨烯的亲疏水性 | 第64-87页 |
4.1 六方氮化硼的亲疏水性 | 第64-80页 |
4.1.1 研究背景 | 第64-65页 |
4.1.2 结果与讨论 | 第65-78页 |
4.1.2.1 大面积高质量六方氮化硼的生长和表征 | 第65-66页 |
4.1.2.2 铜箔上生长的六方氮化硼在空气中的亲疏水性 | 第66-68页 |
4.1.2.3 不同基底上生长的六方氮化硼的亲疏水性 | 第68-69页 |
4.1.2.4 密度泛函理论和范德华作用分析 | 第69-76页 |
4.1.2.5 六方氮化硼亲疏水的稳定性 | 第76-78页 |
4.1.3 本节总结 | 第78-80页 |
4.2 石墨烯的亲疏水性 | 第80-87页 |
4.2.1 研究背景 | 第80-81页 |
4.2.2 结果与讨论 | 第81-86页 |
4.2.2.1 不同基底上石墨烯的亲疏水性 | 第81-82页 |
4.2.2.2 石墨烯亲疏水性的稳定性 | 第82-84页 |
4.2.2.3 范德华作用分析 | 第84-86页 |
4.2.3 本节总结 | 第86-87页 |
第五章 多层石墨烯的气流致生电效应和氧化锌纳米薄膜的波动势 | 第87-103页 |
5.1 多层石墨烯的气流致生电效应 | 第87-95页 |
5.1.1 研究背景 | 第87-88页 |
5.1.2 结果与讨论 | 第88-94页 |
5.1.3 本节总结 | 第94-95页 |
5.2 氧化锌纳米薄膜的波动势 | 第95-103页 |
5.2.1 研究背景 | 第95-96页 |
5.2.2 结果与讨论 | 第96-102页 |
5.2.2.1 氧化锌纳米薄膜的波动势现象 | 第96-98页 |
5.2.2.2 COMSOL模拟 | 第98页 |
5.2.2.3 氧化锌纳米薄膜波动势特征 | 第98-102页 |
5.2.3 本节总结 | 第102-103页 |
第六章 总结与展望 | 第103-105页 |
6.1 本文主要结论及创新点 | 第103-104页 |
6.2 后续工作展望 | 第104-105页 |
参考文献 | 第105-113页 |
致谢 | 第113-114页 |
在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第114-116页 |