反熔丝PROM存储器设计
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 课题背景与意义 | 第8-10页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第10-12页 |
| 1.3 研究内容与设计指标 | 第12页 |
| 1.3.1 研究内容 | 第12页 |
| 1.3.2 设计指标 | 第12页 |
| 1.4 论文组织 | 第12-14页 |
| 第2章 反熔丝PROM存储器工作原理 | 第14-30页 |
| 2.1 反熔丝PROM存储器工作原理 | 第14-16页 |
| 2.1.1 反熔丝PROM存储器整体结构图 | 第14-15页 |
| 2.1.2 反熔丝PROM存储器编程和读取功能 | 第15-16页 |
| 2.2 反熔丝存储单元数据存储机理 | 第16-20页 |
| 2.2.1 栅氧化层的击穿机理 | 第17页 |
| 2.2.2 反熔丝存储单元结构 | 第17-20页 |
| 2.3 错误检测与纠正 | 第20-24页 |
| 2.3.1 纠错编码 | 第20-23页 |
| 2.3.2 海明码 | 第23-24页 |
| 2.4 电源模块理论基础 | 第24-29页 |
| 2.4.1 带隙基准工作原理 | 第24-28页 |
| 2.4.2 LDO工作原理 | 第28-29页 |
| 2.5 本章小结 | 第29-30页 |
| 第3章 反熔丝PROM存储器设计 | 第30-70页 |
| 3.1 反熔丝PROM存储器结构设计 | 第30-31页 |
| 3.2 反熔丝存储阵列设计 | 第31-37页 |
| 3.2.1 反熔丝存储阵列设计 | 第31-32页 |
| 3.2.2 1T反熔丝存储单元设计 | 第32-34页 |
| 3.2.3 1T反熔丝存储单元特性研究 | 第34-37页 |
| 3.3 译码器设计 | 第37-43页 |
| 3.3.1 译码器设计 | 第37-39页 |
| 3.3.2 冗余设计 | 第39-41页 |
| 3.3.3 译码器仿真结果 | 第41-43页 |
| 3.4 编程和读取电路设计 | 第43-50页 |
| 3.4.1 读写控制电路设计 | 第43-45页 |
| 3.4.2 电流比较器设计 | 第45页 |
| 3.4.3 编程和读取电路仿真结果 | 第45-50页 |
| 3.5 错误检测与纠正模块设计 | 第50-56页 |
| 3.5.1 EDAC电路设计 | 第53-55页 |
| 3.5.2 EDAC电路仿真 | 第55-56页 |
| 3.6 电源模块设计 | 第56-63页 |
| 3.6.1 带隙基准设计 | 第56-58页 |
| 3.6.2 LDO设计 | 第58-63页 |
| 3.7 逻辑控制信号 | 第63-65页 |
| 3.8 反熔丝PROM存储器前仿真 | 第65-69页 |
| 3.9 本章小结 | 第69-70页 |
| 第4章 反熔丝PROM存储器版图设计及后仿真 | 第70-78页 |
| 4.1 反熔丝PROM存储器版图设计 | 第70-73页 |
| 4.1.1 匹配性设计 | 第70-71页 |
| 4.1.2 敏感信号线的防串扰设计 | 第71-72页 |
| 4.1.3 防LATCH-UP设计 | 第72页 |
| 4.1.4 防天线效应设计 | 第72-73页 |
| 4.1.5 反熔丝PROM存储器整体版图 | 第73页 |
| 4.2 反熔丝PROM存储器后仿真 | 第73-77页 |
| 4.3 本章小结 | 第77-78页 |
| 第5章 总结与展望 | 第78-80页 |
| 5.1 总结 | 第78页 |
| 5.2 展望 | 第78-80页 |
| 参考文献 | 第80-82页 |
| 致谢 | 第82-83页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第83页 |
