| 致谢 | 第7-8页 |
| 摘要 | 第8-9页 |
| Abstract | 第9页 |
| 第一章 绪论 | 第15-34页 |
| 1.1 光电探测器的研究背景和意义 | 第15-16页 |
| 1.2 光电探测器的分类 | 第16-22页 |
| 1.2.1 紫外光电探测器(UV Photodetector) | 第16-18页 |
| 1.2.2 可见光探测器(Visible Photodetector) | 第18-19页 |
| 1.2.3 红外光电探测器(Infrared Photodetector) | 第19-22页 |
| 1.3 光电探测器的器件结构选择 | 第22-26页 |
| 1.3.1 光电导型光电探测器 | 第22-23页 |
| 1.3.2 PN结型光电探测器 | 第23-25页 |
| 1.3.3 PIN型光电探测器 | 第25页 |
| 1.3.4 APD雪崩光电二极管 | 第25页 |
| 1.3.5 光电晶体管 | 第25-26页 |
| 1.3.6 肖特基结光电探测器 | 第26页 |
| 1.4 光电探测的部分参数 | 第26-31页 |
| 1.4.1 光学吸收和暗电流 | 第26-27页 |
| 1.4.2 响应度和信号的响应度 | 第27-28页 |
| 1.4.3 光谱响应和截止波长 | 第28-29页 |
| 1.4.4 量子效率 | 第29页 |
| 1.4.5 响应频率与上升下降的时间 | 第29-30页 |
| 1.4.6 探测率和比探测率 | 第30-31页 |
| 1.5 光电探测器的表征方法 | 第31-33页 |
| 1.5.1 四探针测试法 | 第31-32页 |
| 1.5.2 自组装脉冲光系统 | 第32-33页 |
| 1.6 小结 | 第33-34页 |
| 第二章 基于碲化锑的光电导型探测器 | 第34-45页 |
| 2.1 引言 | 第34-36页 |
| 2.2 拓扑绝缘体碲化锑的制备与表征 | 第36-37页 |
| 2.2.1 拓扑绝缘体碲化锑的合成 | 第36-37页 |
| 2.2.2 拓扑绝缘体碲化锑的表征 | 第37页 |
| 2.3 基于碲化锑的光电探测器的制备与表征 | 第37-44页 |
| 2.3.1 基于碲化锑的光电探测器的制备 | 第38页 |
| 2.3.2 基于碲化锑的光电探测器的表征 | 第38-43页 |
| 2.3.3 基于碲化锑的光电探测器的原理分析 | 第43-44页 |
| 2.4 拓扑绝缘体碲化锑光电探测器小结 | 第44-45页 |
| 第三章 表面等离子共振增强碲化锌光电探测器性能 | 第45-59页 |
| 3.1 引言 | 第45-48页 |
| 3.1.1 表面等离子共振 | 第45-47页 |
| 3.1.2 理论模拟——有限元分析 | 第47-48页 |
| 3.2 AuNPs@ZnTeNWs材料的制备与表征 | 第48-54页 |
| 3.2.1 ZnTeNWs与AuNPs@ZnTeNWs的制备 | 第49-50页 |
| 3.2.2 ZnTeNWs与AuNPs@ZnTeNWs的表征 | 第50-52页 |
| 3.2.3 ZnTeNWs和AuNPs@ZnTeNWs吸收的实验与理论模拟 | 第52-54页 |
| 3.3 基于ZnTeNWs和AuNPs@ZnTeNWs的光电探测器制备与表征 | 第54-58页 |
| 3.3.1 ZnTeNWs和AuNPs@ZnTeNWs光电探测器的制备 | 第54-55页 |
| 3.3.2 ZnTeNWs和AuNPs@ZnTeNWs光电探测器的表征 | 第55-57页 |
| 3.3.3 SPR对器件性能增强的分析 | 第57-58页 |
| 3.4 SPR增强碲化锌光电探测器性能小结 | 第58-59页 |
| 第四章 总结及展望 | 第59-61页 |
| 4.1 本文研究内容与结论 | 第59-60页 |
| 4.2 未来展望 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-71页 |
| 攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况 | 第71-72页 |
