| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-13页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第8-10页 |
| 1.2 GaN基蓝光LED的研究现状及存在的问题 | 第10-12页 |
| 1.3 论文的主要研究内容和架构 | 第12-13页 |
| 第二章 GaN基蓝光LED的结构与工作原理 | 第13-20页 |
| 2.1 GaN材料的结构和性质 | 第13-14页 |
| 2.2 GaN基多量子阱蓝光LED的基本制备工艺 | 第14-16页 |
| 2.2.1 衬底材料 | 第14-15页 |
| 2.2.2 外延生长 | 第15页 |
| 2.2.3 掺杂 | 第15-16页 |
| 2.3 GaN基多量子阱蓝光LED的工作原理 | 第16-18页 |
| 2.3.1 基本结构 | 第16-17页 |
| 2.3.2 工作原理 | 第17-18页 |
| 2.4 GaN基LED的主要参数 | 第18-19页 |
| 2.5 本章小结 | 第19-20页 |
| 第三章 AlGaN组份渐变EBL对GaN基LED光电性能的影响 | 第20-32页 |
| 3.1 引言 | 第20页 |
| 3.2 模拟软件Silvaco Atlas简介 | 第20-22页 |
| 3.3 模拟参数设置 | 第22-23页 |
| 3.4 Al组份渐变EBL对GaN基LED光电性能的影响 | 第23-31页 |
| 3.4.1 阶梯形和斜线形Al组份渐变EBL对LED光电性能的影响 | 第23-26页 |
| 3.4.2 梯形和三角形Al组份渐变EBL对LED光电性能的影响 | 第26-31页 |
| 3.5 本章小结 | 第31-32页 |
| 第四章 不同图形化衬底对GaN基LED光电性能的影响 | 第32-44页 |
| 4.1 引言 | 第32页 |
| 4.2 图形化衬底的基本工艺 | 第32-33页 |
| 4.3 图形化衬底的表征分析 | 第33-38页 |
| 4.3.1 SEM表征 | 第34-36页 |
| 4.3.2 PL表征 | 第36页 |
| 4.3.3 CL表征 | 第36-38页 |
| 4.4 三角锥和蒙古包图形化衬底对GaN基LED电流和发光性能的影响 | 第38-43页 |
| 4.4.1 图形化衬底LED的结构 | 第38-39页 |
| 4.4.2 图形化衬底对LED电流特性的影响 | 第39页 |
| 4.4.3 图形化衬底对LED光谱特性的影响 | 第39-42页 |
| 4.4.4 图形化衬底对LED效率Droop现象的影响 | 第42-43页 |
| 4.5 本章小结 | 第43-44页 |
| 第五章 变温下GaN基蓝光LED反向漏电流传输机制的研究 | 第44-48页 |
| 5.1 引言 | 第44页 |
| 5.2 样品结构与测量 | 第44页 |
| 5.3 变温下LED的漏电流传输机制 | 第44-47页 |
| 5.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 第六章 总结与展望 | 第48-50页 |
| 6.1 总结 | 第48-49页 |
| 6.2 展望 | 第49-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-57页 |
| 附录: 作者在攻读硕士学位期间发表的论文 | 第57页 |
