| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第一章 前言 | 第11-42页 |
| 第一节 研究背景 | 第11-14页 |
| 第二节 拓扑绝缘体简介 | 第14-24页 |
| 2.1 Kane-Mele模型和HgTe/CdTe量子阱 | 第14-16页 |
| 2.2 三维拓扑绝缘体 | 第16-18页 |
| 2.3 三维拓扑绝缘体薄膜 | 第18-20页 |
| 2.4 Z_2拓扑数和自旋陈数 | 第20-24页 |
| 第三节 拓扑晶态绝缘体 | 第24-26页 |
| 第四节 谷电子学 | 第26-28页 |
| 第五节 逆自旋霍尔效应与逆Edelstein效应 | 第28-29页 |
| 第六节 散射矩阵理论 | 第29-35页 |
| 6.1 基本理论 | 第29-31页 |
| 6.2 电流 | 第31-35页 |
| 参考文献 | 第35-42页 |
| 第二章 Zeeman场引起的拓扑晶态绝缘体SnTe的表面的谷相关的拓扑相变 | 第42-55页 |
| 第一节 研究背景 | 第42-43页 |
| 第二节 理论模型 | 第43-44页 |
| 第三节 相图 | 第44-50页 |
| 第四节 本章小结 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-55页 |
| 第三章 硅烯中的拓扑自旋泵浦和谷泵浦 | 第55-70页 |
| 第一节 研究背景 | 第55-56页 |
| 第二节 理论模型 | 第56-57页 |
| 第三节 自旋-谷陈数 | 第57-60页 |
| 第四节 自旋泵浦 | 第60-65页 |
| 第五节 本章小结 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 第四章 在拓扑表面态由于自旋-动量绑定导致的理想的逆自旋霍尔效应及逆Edelstein效应 | 第70-84页 |
| 第一节 研究背景 | 第70-71页 |
| 第二节 理论模型 | 第71-74页 |
| 第三节 自旋霍尔角 | 第74-77页 |
| 第四节 自旋霍尔偏压 | 第77-78页 |
| 第五节 逆Edelstein效应 | 第78-79页 |
| 第六节 本章小结 | 第79-80页 |
| 参考文献 | 第80-84页 |
| 第五章 总结与展望 | 第84-88页 |
| 第一节 总结 | 第84-85页 |
| 第二节 展望 | 第85-87页 |
| 参考文献 | 第87-88页 |
| 博士期间完成的论文 | 第88-90页 |
| 致谢 | 第90-91页 |
