摘要 | 第4-6页 |
ABSTRACT | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第10-18页 |
第一节 理论背景介绍 | 第10-14页 |
1.1 拓扑能带绝缘体 | 第10-11页 |
1.2 量子自旋Hall效应和拓扑绝缘体 | 第11-13页 |
1.3 对称性保护拓扑态 | 第13-14页 |
参考文献 | 第14-18页 |
第二章 拓扑能带理论与拓扑不变量 | 第18-39页 |
第一节 时间反演对称性 | 第18-19页 |
第二节 拓扑能带理论 | 第19-21页 |
第三节 Kane-Mele模型和BHZ模型 | 第21-27页 |
3.1 Kane-Mele模型的推导 | 第21-25页 |
3.2 BHZ模型简介 | 第25-27页 |
第四节 Keyldsh-Green函数、线性响应理论和Hall电导 | 第27-36页 |
第五节 小结 | 第36-37页 |
参考文献 | 第37-39页 |
第三章 Floquet拓扑态及其输运性质 | 第39-56页 |
第一节 Floquet理论 | 第39-53页 |
1.1 基于Floquet理论的光子诱导的拓扑相变 | 第43-48页 |
1.2 无序平均Green函数和纵向电导 | 第48-53页 |
第二节 本章小结 | 第53-54页 |
参考文献 | 第54-56页 |
第四章 绝热极限:自旋陈泵浦效应 | 第56-68页 |
第一节 自旋陈数和自旋极化波函数 | 第56-60页 |
第二节 自旋陈泵浦的过程 | 第60-64页 |
2.1 非磁性金属电极的情形 | 第60-64页 |
2.2 自旋极化金属中的电荷泵浦 | 第64页 |
第三节 结论和讨论 | 第64-66页 |
参考文献 | 第66-68页 |
第五章 回顾与展望 | 第68-70页 |
第一节 总结 | 第68页 |
第二节 展望 | 第68-69页 |
参考文献 | 第69-70页 |
附录A Floquet-Green函数和有效哈密顿量 | 第70-79页 |
第一节 自能修正的计算 | 第72-73页 |
第二节 存在Rashba自旋轨道耦合情况下的分析 | 第73-75页 |
第三节 对应到HgTe量子阱的实际材料 | 第75-78页 |
参考文献 | 第78-79页 |
附录B 自旋陈泵浦系统的一些计算细节 | 第79-88页 |
第一节 非磁性电极哈密顿量的构造 | 第79页 |
第二节 势垒区的哈密顿量 | 第79页 |
第三节 自旋极化金属电极 | 第79-80页 |
第四节 非磁性电极中反射系数的计算 | 第80-86页 |
4.1 泵浦和势垒区的电子波函数 | 第80-83页 |
4.2 电子从自旋向上通道入射的情形 | 第83-84页 |
4.3 电子从自旋向下通道入射的情形 | 第84-85页 |
4.4 对结果的验证 | 第85-86页 |
第五节 自旋极化金属中的反射振幅 | 第86-88页 |
博士期间完成的论文 | 第88-89页 |
致谢 | 第89-90页 |