| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-22页 |
| ·课题背景 | 第12页 |
| ·热氧化法 | 第12-13页 |
| ·溶胶凝胶法 | 第13页 |
| ·物理气相沉积(PVD,Physical Vapor Deposition) | 第13-14页 |
| ·磁控溅射沉积 | 第13-14页 |
| ·激光沉积法 | 第14页 |
| ·化学气相沉积法(CVD,Chemical Vapor Deposition) | 第14-17页 |
| ·传统CVD法 | 第15-16页 |
| ·等离子体增强化学气相沉积法(PECVD,Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition) | 第16-17页 |
| ·大气压等离子体沉积技术研究现状 | 第17-21页 |
| ·大气压非平衡等离子体概述 | 第17-19页 |
| ·大气压低温等离子体沉积装置 | 第19-20页 |
| ·大气压等离子体沉积技术的特点 | 第20-21页 |
| ·本文的研究思路和目标 | 第21-22页 |
| 第二章 大气压等离子体设备的搭建和喷枪外场数值模拟 | 第22-36页 |
| ·大气压等离子体设备搭建 | 第22-24页 |
| ·喷枪等离子体的产生机理与喷枪结构 | 第22-23页 |
| ·大气压等离子体镀膜设备的结构介绍 | 第23-24页 |
| ·喷枪外场数值模拟 | 第24-34页 |
| ·基本假设 | 第24页 |
| ·等离子体射流自由膨胀过程的二维模拟 | 第24-29页 |
| ·等离子体射流冲击基底的过程二维模拟 | 第29-34页 |
| ·本章小结 | 第34-36页 |
| 第三章 类二氧化硅薄膜制备实验与表征 | 第36-44页 |
| ·引言 | 第36页 |
| ·原料体系的确定 | 第36-38页 |
| ·实验装置 | 第38页 |
| ·试样制备过程 | 第38-40页 |
| ·实验原料 | 第38页 |
| ·基板处理 | 第38-39页 |
| ·实验步骤 | 第39-40页 |
| ·样品的系列沉积参数 | 第40页 |
| ·样品测试分析方法 | 第40-44页 |
| ·傅立叶变换红外光谱分析(FTIR) | 第40-41页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS) | 第41页 |
| ·纳米压痕仪 | 第41-42页 |
| ·光学椭偏仪 | 第42-43页 |
| ·场发射扫描电镜(FESEM) | 第43-44页 |
| 第四章 大气压等离子体沉积类二氧化硅薄膜研究 | 第44-64页 |
| ·大气压等离子体沉积类二氧化硅薄膜 | 第44-48页 |
| ·薄膜的沉积方式 | 第44-45页 |
| ·薄膜的化学结构 | 第45页 |
| ·薄膜的组分 | 第45-47页 |
| ·薄膜的表面形貌 | 第47-48页 |
| ·实验参数对薄膜沉积速率的影响 | 第48-54页 |
| ·沉积时间对沉积速率的影响 | 第48页 |
| ·基底温度对沉积速率的影响 | 第48-49页 |
| ·电源功率对沉积速率的影响 | 第49-50页 |
| ·单体(TEOS)流量对沉积速率的影响 | 第50-51页 |
| ·N_2流量对沉积速率的影响 | 第51-52页 |
| ·O_2流量对沉积速率的影响 | 第52页 |
| ·H_2流量对沉积速率的影响 | 第52-54页 |
| ·沉积时间对薄膜表面形貌、化学结构和硬度的影响 | 第54-57页 |
| ·沉积时间对薄膜表面形貌的影响 | 第54-55页 |
| ·沉积时间对薄膜化学结构的影响 | 第55-56页 |
| ·沉积时间对薄膜表面硬度的影响 | 第56-57页 |
| ·沉积时间的影响机制 | 第57页 |
| ·基底温度对薄膜表面形貌、化学结构和硬度的影响 | 第57-61页 |
| ·基底温度对薄膜表面形貌的影响 | 第58-59页 |
| ·基底温度对薄膜化学结构的影响 | 第59-60页 |
| ·基底温度对薄膜表面硬度的影响 | 第60页 |
| ·基底温度的影响机制 | 第60-61页 |
| ·本章小结 | 第61-64页 |
| 第五章 结论与展望 | 第64-67页 |
| ·结论 | 第64-65页 |
| ·展望 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 个人简历 | 第73-74页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文与取得的其它研究成果 | 第74页 |
