| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第13-34页 |
| 1.1 概述 | 第13-14页 |
| 1.2 挥发性存储器 | 第14页 |
| 1.2.1 静态随机存储器 | 第14页 |
| 1.2.2 动态随机存储器 | 第14页 |
| 1.3 非挥发存储器 | 第14-20页 |
| 1.3.1 快闪式存储器 | 第15页 |
| 1.3.2 磁阻式随机存储器 | 第15-16页 |
| 1.3.3 铁电存储器 | 第16-17页 |
| 1.3.4 相变存储器 | 第17-19页 |
| 1.3.5 忆阻器 | 第19-20页 |
| 1.4 忆阻器相关材料体系 | 第20-28页 |
| 1.4.1 多元氧化物体系 | 第20-21页 |
| 1.4.2 固体电解质体系 | 第21-23页 |
| 1.4.3 有机材料体系 | 第23-24页 |
| 1.4.4 二元氧化物体系 | 第24-28页 |
| 1.5 忆阻器的集成 | 第28-30页 |
| 1.6 国内外研究进展 | 第30-32页 |
| 1.7 论文选题及研究内容 | 第32-34页 |
| 第二章 忆阻器基本理论及制备测试方法 | 第34-49页 |
| 2.1 忆阻器的理论概述 | 第34页 |
| 2.2 整体效应 | 第34-36页 |
| 2.3 局域效应 | 第36-41页 |
| 2.3.1 热熔断机理 | 第37-38页 |
| 2.3.2 ECM机理 | 第38-39页 |
| 2.3.3 VCM机理 | 第39-41页 |
| 2.4 NiO及电极薄膜的制备方法 | 第41-45页 |
| 2.4.1 磁控溅射技术 | 第41页 |
| 2.4.2 NiO薄膜的制备方法及设备 | 第41-42页 |
| 2.4.3 退火 | 第42页 |
| 2.4.4 顶电极的制备 | 第42-45页 |
| 2.5 柔性忆阻器的制备方法-静电纺丝 | 第45-46页 |
| 2.6 微观结构表征方法 | 第46-47页 |
| 2.6.1 X射线衍射技术 | 第46-47页 |
| 2.6.2 XPS | 第47页 |
| 2.6.3 TEM | 第47页 |
| 2.6.4 AFM | 第47页 |
| 2.7 电学性能测试方法 | 第47-48页 |
| 2.8 本章小结 | 第48-49页 |
| 第三章 制备条件对NiO忆阻器性能的影响 | 第49-65页 |
| 3.1 引言 | 第49页 |
| 3.2 溅射气氛对NiO忆阻器性能的影响 | 第49-51页 |
| 3.3 退火气氛对NiO忆阻器性能的影响 | 第51-53页 |
| 3.3.1 退火气氛对NiO忆阻器电学性能的影响 | 第51-52页 |
| 3.3.2 退火气氛对NiO忆阻器微观性能的影响 | 第52-53页 |
| 3.4 退火温度对NiO忆阻器性能的影响 | 第53-57页 |
| 3.4.1 退火温度对NiO忆阻器电学性能的影响 | 第53-55页 |
| 3.4.2 退火温度对NiO忆阻器微观性能的影响 | 第55-57页 |
| 3.5 退火时间对NiO忆阻器性能的影响 | 第57-63页 |
| 3.5.1 退火时间对NiO忆阻器电学性能的影响 | 第57-60页 |
| 3.5.2 退火时间对NiO忆阻器微观性能的影响及相关机理研究 | 第60-63页 |
| 3.6 本章小结 | 第63-65页 |
| 第四章 NiO忆阻器导电丝机理研究 | 第65-82页 |
| 4.1 引言 | 第65-66页 |
| 4.2 NiO忆阻器导电丝成分的研究 | 第66-69页 |
| 4.3 插层对NiO忆阻器导电丝形成过程的影响 | 第69-73页 |
| 4.4 导电丝热力学模拟研究 | 第73-80页 |
| 4.4.1 模型的建立 | 第73-75页 |
| 4.4.2 有限元方法对导电丝热模拟 | 第75-78页 |
| 4.4.3 有限差分方法热模拟 | 第78-80页 |
| 4.5 本章小结 | 第80-82页 |
| 第五章 界面对NiO忆阻器性能的影响 | 第82-100页 |
| 5.1 引言 | 第82页 |
| 5.2 浓差界面对忆阻器性能的影响 | 第82-85页 |
| 5.3 插层对忆阻器性能的影响及其在多级存储中的应用 | 第85-96页 |
| 5.3.1 插层对NiO忆阻器电学性能的影响 | 第86-90页 |
| 5.3.2 插层对忆阻器微观性能的影响 | 第90-91页 |
| 5.3.3 极大存储窗口在多级存储中的应用 | 第91-96页 |
| 5.4 电极对忆阻器性能的影响及相关机理研究 | 第96-99页 |
| 5.5 本章小结 | 第99-100页 |
| 第六章 静电纺丝技术在忆阻器中的应用 | 第100-115页 |
| 6.1 引言 | 第100页 |
| 6.2 NiO阻变层的制备 | 第100-103页 |
| 6.2.1 溶液的制备 | 第100-101页 |
| 6.2.2 NiO纤维的制备 | 第101-103页 |
| 6.3 金属银电极的制备 | 第103-113页 |
| 6.3.1 银溶液的制备 | 第103-104页 |
| 6.3.2 微流量系统的设计与制备 | 第104-108页 |
| 6.3.3 银纤维的制备与测试 | 第108-113页 |
| 6.4 忆阻器的组装和测试 | 第113-114页 |
| 6.5 本章小结 | 第114-115页 |
| 第七章 全文总结与展望 | 第115-119页 |
| 7.1 全文总结 | 第115-117页 |
| 7.1.1 主要结论 | 第115-117页 |
| 7.1.2 主要创新点 | 第117页 |
| 7.2 后续工作展望 | 第117-119页 |
| 致谢 | 第119-120页 |
| 参考文献 | 第120-133页 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 | 第133-135页 |