基于恒流二极管的低压低功耗运算放大器研究
摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
第一章 绪论 | 第6-11页 |
·研究背景 | 第6-7页 |
·传统运算放大器设计的主要方法及面临的困难 | 第7-9页 |
·传统运算放大器设计特点 | 第7页 |
·传统低压低功耗运算放大器设计技术 | 第7-8页 |
·传统低压低功耗运算放大器设计面临的困难 | 第8-9页 |
·基于恒流二极管运算放大器设计思路 | 第9-10页 |
·本论文的主要工作 | 第10-11页 |
第二章 恒流源 | 第11-32页 |
·传统恒流源电路 | 第11-12页 |
·精密匹配电流镜 | 第12-13页 |
·基于JFET的恒流源 | 第13-18页 |
·场效应管(FET) | 第13页 |
·结型场效管 | 第13-15页 |
·结型场效应管的工作原理 | 第15-17页 |
·结型场效应管的特性曲线 | 第17-18页 |
·基于FET的JFET恒流二极管设计 | 第18-20页 |
·栅源短接后JFET恒流二极管工作原理分析 | 第18-19页 |
·恒流二极管(CRD)电路符号及伏安特性 | 第19-20页 |
·恒流二极管的电学特性 | 第20-25页 |
·沟道掺杂浓度对恒流值的影响 | 第21-22页 |
·沟道掺杂浓度对开启电压的影响 | 第22页 |
·沟道掺杂浓度对击穿电压的影响 | 第22-23页 |
·恒流二极管器件的温度特性 | 第23-24页 |
·动态电阻特性 | 第24-25页 |
·恒流二极管与双极型工艺兼容研究 | 第25-31页 |
·标准双极工艺与典型多晶硅栅CMOS工艺 | 第26-27页 |
·P-CRD的研究 | 第27-28页 |
·NPN-BJT的研究 | 第28-29页 |
·P-CRD与NPN-BJT的兼容 | 第29-31页 |
·本章总结 | 第31-32页 |
第三章 运算放大器的结构与原理 | 第32-52页 |
·传统集成运放 | 第32-34页 |
·输入级 | 第34-38页 |
·有源负载差分放大输入级 | 第34-36页 |
·电阻负载射耦对差分输入级 | 第36-37页 |
·达林顿管差分级原理图 | 第37-38页 |
·基于恒流二极管的差分输入级改进电路测试 | 第38-45页 |
·改变电源电压的电流特性测试 | 第38-40页 |
·改变信号源电压的电流特性测试 | 第40-41页 |
·有源负载互补复合管差分输入级 | 第41-44页 |
·本论文设计的中间增益级 | 第44-45页 |
·偏置电路 | 第45-49页 |
·基于恒流二极管改进偏置电路电流仿真 | 第45-47页 |
·改变电源电压的偏置电流测试 | 第47-49页 |
·输出级 | 第49-51页 |
·射级输出器输出 | 第49-50页 |
·推挽输出级电路 | 第50-51页 |
·互补推挽输出级电路 | 第51页 |
·本章总结 | 第51-52页 |
第四章 基于恒流二极管运算放大器设计与仿真 | 第52-74页 |
·传统运算放大器 | 第52-53页 |
·基于理想恒流源的改进型运算放大器 | 第53-54页 |
·基于恒流二极管的运算放大器 | 第54-55页 |
·基于恒流二极管运算放大器仿真 | 第55-61页 |
·运放增益 | 第55-56页 |
·运算放大器增益仿真验证 | 第56-59页 |
·读取分析仿真结果 | 第59-61页 |
·相位裕度 | 第61-63页 |
·共模抑制比仿真 | 第63-65页 |
·CMRR测试电路及仿真 | 第64-65页 |
·电源电压抑制比 | 第65-68页 |
·瞬态参数仿真 | 第68-71页 |
·建立时间 | 第68-71页 |
·转换速率 | 第71-73页 |
·本章总结 | 第73-74页 |
第五章 版图设计 | 第74-80页 |
·版图设计的基本原则 | 第74页 |
·版图设计规则检查与对比 | 第74-75页 |
·双极型元件的版图设计 | 第75-77页 |
·晶体管版图设计 | 第75-77页 |
·电阻版图设计 | 第77页 |
·本文版图设计 | 第77-80页 |
·芯片版图 | 第78-80页 |
第六章 总结 | 第80-82页 |
·工作总结 | 第80页 |
·工作展望 | 第80-82页 |
致谢 | 第82-83页 |
参考文献 | 第83-85页 |
附录 | 第85-86页 |